2024年中國(guó)DDR5行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及未來(lái)趨勢(shì)研判：下游需求旺盛，DDR5滲透率將穩(wěn)步提升[圖]

內(nèi)容概要：DDR5即第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器，作為新一代的 DRAM技術(shù)類(lèi)型于2021年第四季度正式商用。相較于 DDR4，其具有更高的起始速度和計(jì)劃提升至更高的 標(biāo)準(zhǔn)速度，以及更低的功耗。由于DDR5內(nèi)存的優(yōu)異性能，其廣泛應(yīng)用于各類(lèi)計(jì)算機(jī)設(shè)備，如PC、服務(wù)器等領(lǐng)域。2023年，傳統(tǒng)服務(wù)器、PC領(lǐng)域表現(xiàn)不佳，同步?jīng)_擊存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，導(dǎo)致DDR5滲透率攀升不如預(yù)期，滲透率在20%左右。隨著技術(shù)的不斷成熟和成本的降低，DDR5內(nèi)存有望進(jìn)一步拓展至更多領(lǐng)域，包括消費(fèi)級(jí)電子產(chǎn)品，從而惠及更廣泛的用戶(hù)群體，DDR5滲透率也將穩(wěn)步提升，2024年有望突破50%。隨著技術(shù)的不斷演進(jìn)，DDR5內(nèi)存作為最新的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，未來(lái)將逐步取代DDR4成為市場(chǎng)的主流。在企業(yè)不斷加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)之下，DDR5性能將不斷提升，價(jià)格也將持續(xù)下滑。同時(shí)，隨著下游服務(wù)器、PC等領(lǐng)域加速發(fā)展及DDR5應(yīng)用范圍不斷拓展，DDR5需求將大幅增加。

關(guān)鍵詞：DDR技術(shù)演進(jìn)歷程、DDR5產(chǎn)業(yè)鏈、DDR5市場(chǎng)現(xiàn)狀、DDR5滲透率、DDR5發(fā)展趨勢(shì)

一、DDR技術(shù)演進(jìn)歷程

DDR即雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，是在 SDRAM 基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)。普通SDRAM內(nèi)存的工作方式是在一個(gè)時(shí)鐘周期的上升沿觸發(fā)進(jìn)行工作。也就是說(shuō)在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)，內(nèi)存將工作一次。而DDR的技術(shù)使得內(nèi)存可以在每一個(gè)時(shí)鐘周期的上升沿和下降沿分別觸發(fā)一次，這樣就使得在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)內(nèi)存可以工作兩次，DDR內(nèi)存在相同的時(shí)間內(nèi)能夠完成普通內(nèi)存一倍的工作量。從DDR1到DDR5，DDR技術(shù)不斷進(jìn)化，目前DDR4正處于成熟期，DDR5加速步入市場(chǎng)。DDR5即第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器，作為新一代的 DRAM技術(shù)類(lèi)型于2021年第四季度正式商用。相較于 DDR4，其具有更高的起始速度和計(jì)劃提升至更高的標(biāo)準(zhǔn)速度，以及更低的功耗。具體來(lái)看，DDR5的技術(shù)優(yōu)勢(shì)在于：（1）速度和帶寬提升：DDR5內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速率提升較DDR4內(nèi)存提升2-3倍，傳輸帶寬最高可達(dá)到6400MT/s，較DDR4提升50%，以提供更高的數(shù)據(jù)傳輸性能。（2）高頻率及時(shí)序：DDR5內(nèi)存的內(nèi)部時(shí)鐘頻率達(dá)到1.6-4.8GHz，較DDR4內(nèi)存的0.8-1.6GHz更為高頻精細(xì)，以提供更高的穩(wěn)定性和保證信號(hào)完整性，更適用于多核服務(wù)器等應(yīng)用場(chǎng)景。（3）低電壓低功耗：DDR5的工作電壓通常為1.1V，低于DDR4的1.2V以及DDR3內(nèi)存的1.5V，有助于減少電能消耗和熱量產(chǎn)生，在移動(dòng)設(shè)備和筆記本電腦等對(duì)電池壽命和散熱要求較高的場(chǎng)景中尤其具優(yōu)勢(shì)。同時(shí)DDR5將電源管理從主板移動(dòng)至雙列直插式內(nèi)存模塊DIMM上的PMIC上，此舉使得電源管理、電壓調(diào)節(jié)和上電順序在物理層面上更加貼近模塊上的存儲(chǔ)器件，有助于保障電源完整性，并增強(qiáng)了對(duì)PMIC運(yùn)行方式的控制力。（4）內(nèi)存容量提升：DDR5內(nèi)存支持 64Gb SPD 及 256GB DIMMs容量，同時(shí)支持兩個(gè)獨(dú)立的32位子通道和更多的插槽配置，有助于提供更大的存儲(chǔ)空間。（5）ECC除錯(cuò)機(jī)制：DDR5 內(nèi)存內(nèi)置On-die ECC除錯(cuò)機(jī)制，能夠依靠自身功能修復(fù)DRAM單元(cell)，讓采用DDR5 DRAM的系統(tǒng)擁有更高的穩(wěn)定性。

從DDR5發(fā)展歷程來(lái)看，早在2017年9月，Rambus率先在實(shí)驗(yàn)室中實(shí)現(xiàn)完整功能的DDR5 DIMM芯片。此后的很長(zhǎng)一段時(shí)間中，DDR5內(nèi)存一直是行業(yè)研發(fā)熱點(diǎn)。2020年7月，JEDEC協(xié)會(huì)正式公布了DDR5標(biāo)準(zhǔn)，并規(guī)定DDR5的起始頻率為4800MHz。從此DDR5開(kāi)始進(jìn)入大廠研發(fā)和量產(chǎn)的舞臺(tái)。2020年10月，韓國(guó)存儲(chǔ)巨頭SK海力士宣布，正式發(fā)布全球首款DDR5內(nèi)存。2020年12月， 擁有光威和阿斯加特品牌的嘉合勁威宣布率先全面布局 DDR5 內(nèi)存模組。2021年12月，SK海力士宣布提供業(yè)界內(nèi) DRAM 單一芯片容量最大的 24Gb DDR5 樣品。2023年5月，三星電子宣布其采用12納米級(jí)工藝技術(shù)的16Gb DDR5 DRAM已開(kāi)始量產(chǎn)。2023年11月，據(jù)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官網(wǎng)顯示，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)推出了最新 LPDDR5 DRAM 存儲(chǔ)芯片，是國(guó)內(nèi)首家推出自主研發(fā)生產(chǎn)的 LPDDR5 產(chǎn)品的品牌，實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)市場(chǎng)零的突破。2024年8月，SK海力士宣布，成功開(kāi)發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(jí)（1c）工藝的DDR5 DRAM芯片。2024年10月，芝奇(G.SKILL)宣布通過(guò)超頻高手的努力，其DDR5內(nèi)存成功突破了12000MHz的歷史大關(guān)。

相關(guān)報(bào)告：智研咨詢(xún)發(fā)布的《2025年中國(guó)DDR5行業(yè)市場(chǎng)研究分析及產(chǎn)業(yè)需求研判報(bào)告》

二、DDR5行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈

從產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)看，DDR5作為DRAM細(xì)分產(chǎn)品之一，產(chǎn)業(yè)鏈涉及環(huán)節(jié)多，上游主要包括硅片、光刻膠、拋光材料、光掩模等原材料及光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備等生產(chǎn)設(shè)備，原材料的純度與生產(chǎn)設(shè)備的精度直接影響到DDR5產(chǎn)品的生產(chǎn)良率及整體性能。中游為DDR5設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)，DDR5內(nèi)存作為新一代的存儲(chǔ)技術(shù)，技術(shù)壁壘較前幾代更高，市場(chǎng)份額主要被SK海力士、三星、美光等國(guó)際大廠所占據(jù)，以長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、聚辰股份、大為創(chuàng)芯為代表的國(guó)內(nèi)企業(yè)也正加快研發(fā)DDR5研發(fā)，并取得了一定的成果。下游為DDR5應(yīng)用領(lǐng)域，DDR5主要用于需要大容量和高數(shù)據(jù)速率的應(yīng)用場(chǎng)景，如服務(wù)器、PC領(lǐng)域。

AI服務(wù)器浪潮洶涌，DDR5內(nèi)存正成為高性能計(jì)算發(fā)展的重要助推力。2023年以來(lái)，行業(yè)大模型的深入研發(fā)對(duì)于AI軟硬件與生態(tài)部署有著明顯帶動(dòng)作用。人工智能在諸如智慧城市、智能家居等綜合復(fù)雜性場(chǎng)景，在金融、醫(yī)療、教育等行業(yè)的細(xì)分功能層面提供更細(xì)化更多元的方案，AI算力持續(xù)火熱，市場(chǎng)對(duì)AI服務(wù)器的需求急劇上升，產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷壯大。2023年全球AI服務(wù)器市場(chǎng)規(guī)模約為211億美元，其中中國(guó)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)94億美元。2024年大型CSPs（云端服務(wù)供應(yīng)商）預(yù)算持續(xù)聚焦于采購(gòu)AI服務(wù)器，AI服務(wù)器規(guī)模將保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，占整體服務(wù)器出貨的比重將進(jìn)一步提升。在AI模型訓(xùn)練領(lǐng)域，DDR5內(nèi)存憑借出色的帶寬和容量?jī)?yōu)勢(shì)，能夠有效地處理龐大的數(shù)據(jù)量，顯著縮短訓(xùn)練周期，從而加速AI開(kāi)發(fā)進(jìn)程，在AI服務(wù)器份額持續(xù)抬升大背景下，DDR5內(nèi)存有望進(jìn)入快速增長(zhǎng)期。

在PC領(lǐng)域，AI技術(shù)的突破為PC產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了全新機(jī)遇。2024年傳統(tǒng)PC開(kāi)啟向AI PC的重大轉(zhuǎn)變， AI PC正在成為PC行業(yè)新的出貨量增長(zhǎng)點(diǎn)，預(yù)計(jì)2024年全球AI PC出貨量達(dá)4800萬(wàn)臺(tái)，占PC出貨總量的18%；2025年全球AI PC出貨量超過(guò)1億臺(tái)，占PC出貨總量的40%；到2028年，全球AI PC出貨量達(dá)2.05億臺(tái)。AI PC市場(chǎng)爆發(fā)，DDR5將迎來(lái)強(qiáng)烈需求。

三、DDR5行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)的記憶部件，在電子設(shè)備和系統(tǒng)中扮演著十分重要的角色。DRAM和NAND Flash為最重要的兩類(lèi)存儲(chǔ)芯片，DRAM憑借高速、容量大和相對(duì)低成本的優(yōu)勢(shì)，成為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器第一大產(chǎn)品。2023年在全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)中，DRAM占比54%。按照產(chǎn)品分類(lèi)，DRAM 主要分為 DDR、LPDDR、GDDR及新型存儲(chǔ)HBM。其中DDR是主流DRAM芯片，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、工作站等高性能設(shè)備，以及圖形處理單元(GPU)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等。數(shù)據(jù)顯示，2023年全球DRAM產(chǎn)品bit出貨量約2060億Gb。其中，DDR產(chǎn)品bit出貨量約1164億Gb，占總量的57%。

由于DDR5內(nèi)存的優(yōu)異性能，其廣泛應(yīng)用于各類(lèi)計(jì)算機(jī)設(shè)備。2023年，傳統(tǒng)服務(wù)器、PC領(lǐng)域表現(xiàn)不佳，同步?jīng)_擊存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，導(dǎo)致DDR5滲透率攀升不如預(yù)期，滲透率在20%左右。隨著技術(shù)的不斷成熟和成本的降低，DDR5內(nèi)存有望進(jìn)一步拓展至更多領(lǐng)域，包括消費(fèi)級(jí)電子產(chǎn)品，從而惠及更廣泛的用戶(hù)群體，DDR5滲透率也將穩(wěn)步提升，2024年有望突破50%。

四、DDR5行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

隨著技術(shù)的不斷演進(jìn)，DDR5內(nèi)存作為最新的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，未來(lái)將逐步取代DDR4成為市場(chǎng)的主流。在企業(yè)不斷加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)之下，DDR5性能將不斷提升，價(jià)格也將持續(xù)下滑。同時(shí)，隨著下游服務(wù)器、PC等領(lǐng)域加速發(fā)展及DDR5應(yīng)用范圍不斷拓展，DDR5需求將大幅增加。

以上數(shù)據(jù)及信息可參考智研咨詢(xún)（yhcgw.cn）發(fā)布的《2025年中國(guó)DDR5行業(yè)市場(chǎng)研究分析及產(chǎn)業(yè)需求研判報(bào)告》。智研咨詢(xún)是中國(guó)領(lǐng)先產(chǎn)業(yè)咨詢(xún)機(jī)構(gòu)，提供深度產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告、商業(yè)計(jì)劃書(shū)、可行性研究報(bào)告及定制服務(wù)等一站式產(chǎn)業(yè)咨詢(xún)服務(wù)。您可以關(guān)注【智研咨詢(xún)】公眾號(hào)，每天及時(shí)掌握更多行業(yè)動(dòng)態(tài)。