研究團隊在提高單晶硅的應(yīng)變水平方面取得突破性進展

英國國家物理實驗室（NPL）和薩里大學(xué)研究團隊開發(fā)了一種單步程序，使單晶硅承受創(chuàng)紀錄的更大應(yīng)變，這一進展或?qū)韫庾訉W(xué)發(fā)展起到重要作用。論文發(fā)表在《Physical Review Materials》雜志上。

硅光子學(xué)是物聯(lián)網(wǎng)背后技術(shù)的基礎(chǔ)。該團隊利用離子注入對硅膜施加應(yīng)變，其方式類似于收緊鼓皮，應(yīng)變通過改變其電子結(jié)構(gòu)來增強硅的發(fā)光能力。然后，使用稱為電子背散射衍射（EBSD）的掃描電子顯微鏡技術(shù)來測量應(yīng)變膜的形狀和結(jié)構(gòu)，拍攝電子如何從膜上反彈（“反向散射”）的照片，并檢查高應(yīng)變是否均勻地施加在膜上且不會在材料中產(chǎn)生意外的缺陷。

注：本文摘自國外相關(guān)研究報道，文章內(nèi)容不代表本網(wǎng)站觀點和立場，僅供參考。

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