美國(guó)開發(fā)出一種新型高精度模擬芯片架構(gòu)

美國(guó)南加州大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)出一種基于憶阻器的新型高精度模擬芯片架構(gòu)，旨在結(jié)合數(shù)字計(jì)算的精度和模擬計(jì)算的節(jié)能和高速優(yōu)勢(shì)。

憶阻器（memristor）是一種被動(dòng)電子元件，如同電阻器能產(chǎn)生并維持一股安全的電流通過某個(gè)裝置。通過調(diào)整憶阻器參數(shù)，研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了前所未有的調(diào)節(jié)精度，并設(shè)計(jì)出一種新的電路和架構(gòu)，使得模擬設(shè)備的編程更加快速和精確。這種創(chuàng)新不僅適用于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等傳統(tǒng)低精度領(lǐng)域，還可擴(kuò)展至其他存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，如磁性存儲(chǔ)器和相變存儲(chǔ)器。這種技術(shù)創(chuàng)新不僅提高了模擬計(jì)算的效率和速度，還能為人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)等領(lǐng)域帶來更多應(yīng)用可能性。相關(guān)研究成果發(fā)表于《科學(xué)》（Science）雜志。

本文摘自國(guó)外相關(guān)研究報(bào)道，文章內(nèi)容不代表本網(wǎng)站觀點(diǎn)和立場(chǎng)，僅供參考。

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