美國開發(fā)出一種新型高精度模擬芯片架構(gòu)

美國南加州大學研究團隊開發(fā)出一種基于憶阻器的新型高精度模擬芯片架構(gòu)，旨在結(jié)合數(shù)字計算的精度和模擬計算的節(jié)能和高速優(yōu)勢。

憶阻器（memristor）是一種被動電子元件，如同電阻器能產(chǎn)生并維持一股安全的電流通過某個裝置。通過調(diào)整憶阻器參數(shù)，研究團隊實現(xiàn)了前所未有的調(diào)節(jié)精度，并設計出一種新的電路和架構(gòu)，使得模擬設備的編程更加快速和精確。這種創(chuàng)新不僅適用于神經(jīng)網(wǎng)絡等傳統(tǒng)低精度領(lǐng)域，還可擴展至其他存儲技術(shù)領(lǐng)域，如磁性存儲器和相變存儲器。這種技術(shù)創(chuàng)新不僅提高了模擬計算的效率和速度，還能為人工智能和機器學習等領(lǐng)域帶來更多應用可能性。相關(guān)研究成果發(fā)表于《科學》（Science）雜志。

本文摘自國外相關(guān)研究報道，文章內(nèi)容不代表本網(wǎng)站觀點和立場，僅供參考。

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