2022-2028年中國(guó)電子工程用高純硅烷行業(yè)市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)格局及投資風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估報(bào)告

第一章半導(dǎo)體、光伏產(chǎn)業(yè)用高純硅烷概述

1.1 高純硅烷簡(jiǎn)介

1.2 高純硅烷的主要基本性能與質(zhì)量指標(biāo)

1.3 高純硅烷的主要應(yīng)用領(lǐng)域

1.4 高純硅烷在發(fā)展我國(guó)電子工業(yè)中的重要作用

第二章電子特種氣體及其應(yīng)用市場(chǎng)

2.1 電子特種氣體概述

2.2 電子特種氣體制造中的主要技術(shù)方面

2.3 電子特種氣體的純凈度要求

2.4 電子特種氣體產(chǎn)品市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)問題

2.4.1 對(duì)電子特種氣體雜質(zhì)、純度要求的問題

2.4.2 氣體配送及供應(yīng)問題

2.4.3 儲(chǔ)存、使用中的安全性問題

2.4.4 成本性問題

2.5 國(guó)內(nèi)外電子特種氣體行業(yè)發(fā)展概述

2.5.1 境外電子特種氣體生產(chǎn)與市場(chǎng)情況

2.5.2 國(guó)內(nèi)電子特種氣體行業(yè)及其發(fā)展

第三章高純硅烷氣體性能指標(biāo)及制備、凈化的工藝路線

3.1 高純硅烷的性能指標(biāo)

3.2 高純硅烷工業(yè)化制備的典型工藝路線

3.2.1 制備工藝法概述

3.2.2 硅化鎂合金法制備硅烷

3.2.2 .1 工藝過程

3.2.2 .2 主要反應(yīng)

3.2.2 .3 工藝特點(diǎn)

3.2.2 .4 工藝法存在的問題

3.2.3 三氯氫硅還原法制備硅烷

3.2.3 .1 工藝過程

3.2.3 .2 主要反應(yīng)

3.2.3 .3 工藝特點(diǎn)

3.2.3 .4 工藝法存在的問題

3.2.4 四氟化硅還原法制備硅烷

3.2.4 .1 工藝過程

3.2.4 .2 主要反應(yīng)

3.2.4 .3 工藝特點(diǎn)

3.2.4 .4 工藝法存在的問題

3.2.5 氯硅烷歧化法制備硅烷

3.2.5 .1 工藝過程

3.2.5 .2 主要反應(yīng)

3.2.5 .3 工藝特點(diǎn)

3.2.5 .4 工藝法存在的問題

3.2.6 烷氧基硅烷歧化法

3.2.6 .1 工藝過程

3.2.6 .2 主要反應(yīng)

3.2.6 .3 工藝特點(diǎn)

3.2.6 .4 工藝法存在的問題

3.3 高純硅烷氣體的凈化工藝路線

3.3.1 氣體的凈化方法概述

3.3.2 高純硅烷的凈化過程

3.4 工業(yè)高純硅烷氣體的包裝及貯運(yùn)

第四章國(guó)內(nèi)外高純硅烷生產(chǎn)與主要企業(yè)現(xiàn)況

4.1 世界高純硅烷產(chǎn)銷、市場(chǎng)規(guī)模的概況

4.2 國(guó)外高純硅烷主要生產(chǎn)企業(yè)產(chǎn)銷情況

4.3 國(guó)外高純硅烷主要生產(chǎn)企業(yè)簡(jiǎn)況

4.3.1 REC Silicon公司

4.3.2 Dowcorning公司

4.3.3 SODIFF新素材有限公司

4.3.4 MEMC公司

4.3.5 Air Liquid公司

4.3.6 日本電氣工業(yè)公司

4.3.7 大陽(yáng)日酸公司

4.3.8 Evonik Industries公司

4.4 國(guó)內(nèi)硅烷業(yè)的發(fā)展概述

4.4.1 我國(guó)高純硅烷業(yè)發(fā)展的概述

4.4.2 我國(guó)硅烷研發(fā)、生產(chǎn)的歷史

4.5 國(guó)內(nèi)高純硅烷生產(chǎn)企業(yè)現(xiàn)況

4.5.1 國(guó)內(nèi)高純硅烷生產(chǎn)企業(yè)總述

4.5.2 浙江中寧硅業(yè)有限公司

4.5.3 浙江賽林硅業(yè)有限公司

4.5.4 滁州市硅谷特種氣體有限公司

4.5.5 六九硅業(yè)有限公司

4.5.6 浙江金華美晶硅電子有限公司

4.5.7 黑龍江金業(yè)電子氣體股份有限公司

4.5.8 深圳市金業(yè)長(zhǎng)健新材料股份有限公司

第五章高純硅烷主要應(yīng)用領(lǐng)域的概述

5.1 高純硅烷在集成電路中的應(yīng)用

5.1.1 集成電路芯片制程

5.1.2 化學(xué)氣相沉積和氣體應(yīng)用

5.1.3 高純硅烷在化學(xué)氣相沉積中作為氣源形成的薄膜

5.2 高純硅烷在薄膜硅太陽(yáng)電池中的應(yīng)用

5.2.1 非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池

5.2.2 Si薄膜的材料特性

5.2.3 非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池制作工藝及高純硅烷其應(yīng)用

5.3 高純硅烷在液晶顯示器中的應(yīng)用

5.3 高純硅烷在液晶顯示器中的應(yīng)用

5.4 高純硅烷在其它領(lǐng)域的應(yīng)用

5.4.1 在特種玻璃制造中的應(yīng)用

5.4.2 在電子部件制造中的應(yīng)用

5.4.3 在化合物半導(dǎo)體材料制造中的應(yīng)用

5.5 高純硅烷在電子信息產(chǎn)品中應(yīng)用市場(chǎng)需求量的測(cè)算

第六章高純硅烷主要應(yīng)用市場(chǎng)之一 —集成電路產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)況與趨勢(shì)

6.1 世界半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)與市場(chǎng)發(fā)展

6.1.1 世界半導(dǎo)體生產(chǎn)的現(xiàn)況

6.1.2 世界半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)狀況

6.2 我國(guó)半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)與市場(chǎng)現(xiàn)況與發(fā)展

6.2.1 我國(guó)集成電路市場(chǎng)、產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

6.2.2 我國(guó)集成電路晶圓制造業(yè)情況

第七章高純硅烷主要應(yīng)用市場(chǎng)之二 —薄膜太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)況與趨勢(shì)

7.1 國(guó)內(nèi)外光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展

7.1.1 世界光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展

7.1.2 我國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境與現(xiàn)況

7.2 薄膜太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)與市場(chǎng)

7.2.1 薄膜太陽(yáng)能電池特點(diǎn)及品種

7.2.2 薄膜太陽(yáng)能電池未來市場(chǎng)發(fā)展前景

7.2.3 薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)及在光伏市場(chǎng)上的份額變化

7.3 國(guó)內(nèi)外薄膜太陽(yáng)能電池的主要生產(chǎn)企業(yè)

第八章高純硅烷主要應(yīng)用市場(chǎng)之三 —液晶顯示器產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)況與趨勢(shì)(ZY LZQ)

8.1 世界平板顯示器產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)況

8.2 我國(guó)平板顯示器產(chǎn)業(yè)現(xiàn)況與未來發(fā)展預(yù)測(cè)

8.2.1 我國(guó)液晶顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展概述

8.2.2 我國(guó)LCD面板生產(chǎn)現(xiàn)況與未來幾年發(fā)展預(yù)測(cè)

8.2.3 我國(guó)發(fā)展平板顯示產(chǎn)業(yè)的相關(guān)政策及未來發(fā)展的預(yù)測(cè)、分析

部分圖表目錄：

圖表 1 硅烷性能比較

圖表 2 氣體按其特性分類圖

圖表 3 雜質(zhì)對(duì)硅低溫選擇性外延沉積的影響

圖表 4 露點(diǎn)與集成度的關(guān)系

圖表 5 微粒直徑與集成度的關(guān)系

圖表 6 特殊氣體供應(yīng)流程圖

圖表 7 硅烷的性能指標(biāo)

圖表 8 氫化鋰還原三氯氫硅制備硅烷工藝流程圖

圖表 9 2017-2021年世界高純硅烷產(chǎn)銷分析

圖表 10 2017-2021年世界高純硅烷市場(chǎng)規(guī)模分析

圖表 11 2021年國(guó)外高純硅烷主要生產(chǎn)企業(yè)產(chǎn)銷情況

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