2021年全球 NAND閃存市場份額、閃存容量及出貨量分析預(yù)測[圖]

閃存管小紅 2021-06-29 05:52 來源：智研咨詢

NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品， NAND被證明極具吸引力。 NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。

NAND閃存包括 SLC NAND,MLC NAND,TLC NAND和QLC NAND。

NAND閃存包括范圍

資料來源：智研咨詢整理

中國市場低密度 SLC NAND閃存主要出口目的地為亞洲地區(qū)。隨著信息技術(shù)的三波創(chuàng)新革命，以移動互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計算和物聯(lián)網(wǎng)為代表的新一代信息技術(shù)發(fā)展正在推動信息產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級，對海量數(shù)據(jù)的處理、存儲提出了越來越高的要求。隨著大數(shù)據(jù)時代的到來， NAND Flash芯片將在未來得到巨大發(fā)展。

中國市場未來發(fā)展的有利因素、不利因素分析

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NAND閃存卡的主要分類以 NAND閃存顆粒的技術(shù)為主， NAND閃存顆粒根據(jù)存儲原理分為SLC、MLC、TLC和QLC，從結(jié)構(gòu)上又可分為2D、3D兩大類。四種類型的 NAND閃存顆粒性能各有不同。

NAND閃存卡按存儲原理分類

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Flash技術(shù)主要分為SLC、MLC、TLC和QLC四大類，對應(yīng)不同的空間結(jié)構(gòu)，這四類技術(shù)可又分為2D結(jié)構(gòu)和3D結(jié)構(gòu)兩大類。

SLC（Single-LevelCell,SLC） NAND單元存儲量為1bit/cell，單元擦/寫壽命為10萬次；MLC NAND單元存儲量為2bit/cell，單元擦/寫壽命為3000-10000次；TLC NAND單元存儲量為3bit/cell，單元擦/寫壽命為500次；QLC NAND單元存儲量為4bitcell，單元擦/寫壽命為150次。

四種類型的 NAND閃存單元存儲量及單元擦/寫壽命

類型	單元存儲量	單元擦/寫壽命
SLC	1bit/cell	10萬次
MLC	2bit/cell	3000-10000次
TLC	3bitlcell	500次
QLC	4bitcell	150次

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NAND閃存，產(chǎn)品應(yīng)用于消費電子產(chǎn)品、物聯(lián)網(wǎng)、汽車、工業(yè)、通信和其他相關(guān)行業(yè)。

SLC NAND閃存主要應(yīng)用領(lǐng)域

-	細分領(lǐng)域
消費電子產(chǎn)品	數(shù)字電視，手機，機頂盒，MP3，數(shù)碼相機，攝像機，DVD和藍光播放器和錄像機打印機等
汽車	車載電子產(chǎn)品
工業(yè)	智能計量和智能照明，POS系統(tǒng)和Industrial卡，工業(yè)機器人，工業(yè)儀表等·
通信	DSL和電纜調(diào)制解調(diào)器，M2M模塊，網(wǎng)絡(luò)和電信voIP等·
其他	CPS航，游戲機，玩具等

資料來源：智研咨詢整理

智研咨詢發(fā)布的《2021-2027年中國NAND閃存行業(yè)市場運營態(tài)勢及發(fā)展趨勢研究報告》顯示：按類型劃分來看，2020年TLC NAND市場份額為55.61%；MLC NAND市場份額為32.15%；SLC NAND市場份額為1.82%；QLC NAND市場份額為10.43%，目前市場上應(yīng)用最廣泛的是TLC NAND,QLC作為新興產(chǎn)品將在未來幾年快速占領(lǐng)市場，SLC NAND的市場份額會進一步縮小。

2020年 NAND閃存市場份額(按類型劃分)

資料來源：智能計算芯世界、智研咨詢整理

目前，研究的 NAND閃存主要是8Gbit、4Gbit、2Gbit以及其他小于16Gbit的 SLC NAND閃存，從不同種類低密度 SLC NAND閃存產(chǎn)量市場份額來看，8Gbit SLC NAND閃存產(chǎn)量市場份額為10.48%；4Gbit SLC NAND閃存產(chǎn)量市場份額為22.70%；2Gbit SLC NAND閃存產(chǎn)量市場份額為28.74%；其他 SLC NAND閃存產(chǎn)量市場份額為38.08%。

不同種類低密度 SLC NAND閃存產(chǎn)量市場份額

資料來源：智能計算芯世界、智研咨詢整理

從全球各國家及地區(qū) NAND閃存生產(chǎn)情況來看，北美占23.48%的生產(chǎn)份額；日本占21.26%的生產(chǎn)份額；中國占31.97%的生產(chǎn)份額；中國臺灣占12.76%的生產(chǎn)份額；韓國占6.32%的生產(chǎn)份額。

全球 NAND閃存生產(chǎn)份額比較

資料來源：智能計算芯世界、智研咨詢整理

雖然2019年存儲市場經(jīng)歷了貿(mào)易戰(zhàn)，出現(xiàn)了需求趨緩、價格下跌、庫存壓力等情況，但市場需求一直在，產(chǎn)品技術(shù)也不斷提高。經(jīng)過50年的閃存芯片發(fā)展，閃存容量增勢迅猛。到2004年，閃存存儲容量進入GB時代，從2004年閃存存儲容量只有1GB；到2011年閃存存儲容量的達到128GB；2013年3D NAND閃存顆粒技術(shù)的實踐使閃存容量進一步提升，發(fā)展到128GB；目前，閃存存儲容量高達TB，預(yù)計2022年發(fā)展到2TB。

2013-2022年全球單個3D NAND閃存顆粒容量變化（GB、層）

資料來源：閃存網(wǎng)China Flash Market、智研咨詢整理

據(jù)統(tǒng)計，2019年 NAND閃存顆粒存儲密度將達到3050億GB當量，同比增長34.96%；2020年 NAND閃存顆粒存儲密度將達到4420億GB當量，同比增長44.92%；預(yù)計2021年 NAND閃存顆粒存儲密度將達到6300億GB當量，同比增長42.53%。

2016-2021年全球 NAND FLASH總存儲容量及增長(單位：十億GB、%）

資料來源：閃存網(wǎng)China Flash Market、智研咨詢整理

2015-2016年，整個內(nèi)存市場發(fā)展疲軟，2017-2018年存儲器IC市場出現(xiàn)了強勢增長，2019年存儲器IC市場出貨量又出現(xiàn)下降，預(yù)計兩年內(nèi)會出現(xiàn)增長。

2012-2022年存儲器IC市場出貨量及增長（單位：十億美元、%）

資料來源：閃存網(wǎng)China Flash Market、智研咨詢整理

2020F內(nèi)存市場出貨量為1104億美元，其中DRAM占53%；Flash占45%（ NAND占44%，NOR占1%），其他占2%。

2020年內(nèi)存市場出貨量分布

資料來源：閃存網(wǎng)China Flash Market、智研咨詢整理

本文采編：CY315

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