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科學(xué)家揭示量子電路中引起退相干的表面自旋的結(jié)構(gòu)和化學(xué)性質(zhì)

英國(guó)國(guó)家物理實(shí)驗(yàn)室(NPL)科學(xué)家與物理化學(xué)專家合作,利用最先進(jìn)的電子順磁共振(EPR)技術(shù)來研究與超導(dǎo)量子電路相關(guān)的材料特性,其結(jié)果發(fā)表在《科學(xué)進(jìn)展》雜志上。


近年來,超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)的研究重點(diǎn)是容錯(cuò)糾錯(cuò)量子計(jì)算,但進(jìn)展存在阻礙。這些障礙主要?dú)w因于與量子比特相互作用的原子級(jí)材料缺陷。該團(tuán)隊(duì)通過用強(qiáng)磁場(chǎng)EPR提供的固有高分辨率,結(jié)合核光譜技術(shù)來研究Al2O3(一種存在于所有現(xiàn)代超導(dǎo)量子處理器中的材料)上的特定表面自由基。研究揭示了自由基的復(fù)雜結(jié)構(gòu),即一個(gè)電子耦合到Al2O3晶格中的多個(gè)Al原子以及許多單獨(dú)的氫原子核,這種表面缺陷的確切結(jié)構(gòu)和形成化學(xué)與超導(dǎo)量子電路中的退相干有關(guān)。


這項(xiàng)研究是量子電路材料領(lǐng)域的重要進(jìn)展,第一個(gè)為識(shí)別化學(xué)和結(jié)構(gòu)上的缺陷提供了直接途徑。


注:本文摘自國(guó)外相關(guān)研究報(bào)道,文章內(nèi)容不代表本網(wǎng)站觀點(diǎn)和立場(chǎng),僅供參考。


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2024-2030年中國(guó)量子計(jì)算機(jī)行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)及未來趨勢(shì)研判報(bào)告
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《2024-2030年中國(guó)量子計(jì)算機(jī)行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)及未來趨勢(shì)研判報(bào)告》共八章,包含中國(guó)量子計(jì)算機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)及全產(chǎn)業(yè)鏈布局狀況研究,中國(guó)量子計(jì)算機(jī)行業(yè)重點(diǎn)企業(yè)布局案例研究,中國(guó)量子計(jì)算機(jī)行業(yè)市場(chǎng)及投資戰(zhàn)略規(guī)劃策略建議等內(nèi)容。

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