國(guó)外科研人員研發(fā)異質(zhì)結(jié)構(gòu)人工突觸元件

韓國(guó)科學(xué)技術(shù)研究院（KIST）人工大腦融合研究所、韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院（KAIST）及韓國(guó)化學(xué)研究院聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)成功研發(fā)新二維絕緣體物質(zhì)合成技術(shù)，制作出高性能人工突觸元件。

目前利用硅基的半導(dǎo)體芯片比生物突觸耗能大，集成度低。該科研團(tuán)隊(duì)的核心技術(shù)是應(yīng)用氧化物及無(wú)機(jī)物材料的特性研制二維絕緣體新物質(zhì)，結(jié)合自主研發(fā)的原子級(jí)納米二維半導(dǎo)體，以異質(zhì)結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)研制新人工突觸元件。經(jīng)過(guò)測(cè)試，該人工突觸元件耗能已降至人類突觸水平，同時(shí)在外部信息刺激的強(qiáng)弱變化條件下，該人工突觸元件的數(shù)據(jù)處理精確度達(dá)88.3％。該研究成果刊登在期刊《Advanced Materials》上。

注：本文摘自國(guó)外相關(guān)研究報(bào)道，文章內(nèi)容不代表本網(wǎng)站觀點(diǎn)和立場(chǎng)，僅供參考。

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