國產(chǎn)Xtacking架構(gòu)3D閃存量產(chǎn)，打破美日韓壟斷關(guān)鍵一戰(zhàn)[圖]

    紫光集團旗下長江存儲近日宣布，已開始量產(chǎn)基于自主研發(fā)Xtacking架構(gòu)的64層三維閃存（3D NAND），容量為256Gb，以滿足固態(tài)硬盤（SSD）嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用的需求，這也是中國首款64層三維閃存芯片，將使中國與世界一線三維閃存企業(yè)的技術(shù)差距縮短到兩年以內(nèi)，被視為中國打破美日韓壟斷關(guān)鍵一戰(zhàn)。

    據(jù)香港《大公報》近日報道，長江存儲官網(wǎng)消息，上海中國國際半導(dǎo)體博覽會舉行前夕，公司宣布已開始量產(chǎn)基于XtackingR架構(gòu)的64層“三階儲存單元”3D NAND閃存。作為中國首款64層3D NAND閃存，該產(chǎn)品將亮相博覽會紫光集團展臺。

    所謂3D NAND是通過將原本平鋪的儲存單元堆疊起來，形成多層結(jié)構(gòu)提供容量，使原本只有1層的儲存單元堆疊成64層或更多層。

    報道指出，長江存儲64層三維閃存是全球首款基于Xtacking架構(gòu)設(shè)計并實現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品中最高存儲密度。創(chuàng)新的Xtacking技術(shù)只需一個處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道（VIA）將兩片晶圓鍵合，相比傳統(tǒng)三維閃存架構(gòu)可帶來更快的傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品上市周期。

    長江存儲相關(guān)負責(zé)人向《大公報》表示，長江存儲64層三維閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)，將使中國與世界一線三維閃存企業(yè)的技術(shù)差距縮短到兩年以內(nèi)。

    數(shù)據(jù)顯示，消費類、數(shù)據(jù)中心以及行業(yè)應(yīng)用需求持續(xù)增加，中國閃存市場China Flash Market數(shù)據(jù)，2018年全球SSD的出貨量達到2.05億臺，相較于2017年增長31%。其中企業(yè)級市場SSD出貨量達到2900萬臺，消費類SSD市場出貨量達1.76億臺，價格下滑正刺激市場需求持續(xù)增長。

    2018年一線大廠對PC臺式機趨向于SSD+HDD混搭配置提高性能，筆記本對SSD搭載率更高，且PCIe SSD比重持續(xù)增加，再加上主控廠Marvell、慧榮、群聯(lián)SSD控制芯片全面支持PCIe，得一微、聯(lián)蕓、點序、矽統(tǒng)等也加強對PCIe的支持，預(yù)計2019上半年SSD品牌廠建興、金士頓、江波龍、影馳等都將以PCIe SSD為市場主打產(chǎn)品，加快PCIe SSD成為市場的主角。

全球SSD出貨量增長走勢

資料來源：智研咨詢整理

    2018上半年Flash原廠持續(xù)擴大64層/72層3D TLC NAND產(chǎn)出，下半年64層QLC（4bit）和96層TLC陸續(xù)上市，單顆Die均可達1Tb，使得2018全年NAND Flash供應(yīng)大幅度增加40%。然而2018年三星、蘋果智能型手機出貨不及預(yù)期，中國手機品牌廠容量升級遲緩，且部分出現(xiàn)銷量下滑的情況，再加上英特爾PC處理器在Q3旺季缺貨，北美數(shù)據(jù)中心在Q4訂單大幅縮減等影響，使得NAND Flash市場供過于求，消費類NAND Flash價格大跌65%。

    2018年NAND Flash行情反轉(zhuǎn)向下，到年底消費類每GB價格更是跌破0.1美金，原廠不得不改變策略，紛紛減少Wafer產(chǎn)出，縮減2019年投資金額等平衡市場供需。但由于原廠96層3D NAND技術(shù)在2018下半年以及2019上半年量產(chǎn)，新3D NAND如期推進，再加上蘋果下調(diào)iPhone訂單，原廠庫存壓力較大，NAND Flash市場或?qū)⑸涎莨?yīng)和需求的拉鋸戰(zhàn)。

2018年消費類NAND Flash每GB價格走勢

資料來源：智研咨詢整理

    存儲芯片競爭激烈，三星、海力士、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾等巨頭在產(chǎn)能上持續(xù)投入。2018年，64層、72層的3D NAND閃存就已經(jīng)是主力產(chǎn)品，2019年開始量產(chǎn)92層、96層的產(chǎn)品，到2020年，大廠們即將進入128層3D NAND閃存的量產(chǎn)。

    業(yè)界有關(guān)人士分析，長江儲存發(fā)展迅速，但目前表態(tài)保守，其雖然未公布量產(chǎn)規(guī)模，預(yù)計2020年底其可望將產(chǎn)能提升至月產(chǎn)6萬片晶圓的水平。

    據(jù)報道，長江存儲64層三維閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)有望使中國存儲芯片自產(chǎn)率從8%提升至40%。在美日韓大廠壟斷下，長江存儲的64層3D NAND閃存量產(chǎn)消息別具意義。

    業(yè)界預(yù)測，長江存儲最快明年跳過96層直接進入128層三維閃存，實現(xiàn)彎道超車。據(jù)悉，長江存儲已推出Xtacking2.0規(guī)劃，借以提升NAND吞吐速率、提升系統(tǒng)級存儲的綜合性能、開啟定制化NAND全新商業(yè)模式等，相關(guān)產(chǎn)品將被廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心，企業(yè)級服務(wù)器、個人電腦和移動設(shè)備等領(lǐng)域。