存儲(chǔ)器
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2025-2031年中國(guó)dram存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展模式分析及未來(lái)前景規(guī)劃報(bào)告
《2025-2031年中國(guó)dram存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展模式分析及未來(lái)前景規(guī)劃報(bào)告》共十四章,包含中國(guó)DRAM存儲(chǔ)器行業(yè)主導(dǎo)企業(yè)分析，2025-2031年中國(guó)DRAM存儲(chǔ)器行業(yè)的前景趨勢(shì)分析，2025-2031年中國(guó)DRAM存儲(chǔ)器行業(yè)投資前景及發(fā)展建議等內(nèi)容。
2025-2031年中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)格局及未來(lái)前景分析報(bào)告
《2025-2031年中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)格局及未來(lái)前景分析報(bào)告》共十二章，包含半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)投資環(huán)境分析，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)投資機(jī)會(huì)與風(fēng)險(xiǎn)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)投資戰(zhàn)略研究等內(nèi)容。
我國(guó)科學(xué)家研制出用于多模態(tài)信息存儲(chǔ)加密的植入式瞬態(tài)可溶蠶絲蛋白存儲(chǔ)器
瞬態(tài)可溶存儲(chǔ)器是瞬態(tài)可溶電子植入器件中的重要組成部分和信息存儲(chǔ)媒介，該存儲(chǔ)器在實(shí)現(xiàn)可控降解的同時(shí)還需具備穩(wěn)定的存儲(chǔ)和加密功能。
研究團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)鐵硅化合物可用作非易失性存儲(chǔ)器材料
據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報(bào)道，日本東京大學(xué)與理化學(xué)研究所、東北大學(xué)、原子能研究機(jī)構(gòu)等合作研究，成功地將自然界存儲(chǔ)豐富的鐵硅化合物應(yīng)用于不使用電源也能保持記憶的“非揮發(fā)性存儲(chǔ)”信息記憶技術(shù)。研究發(fā)現(xiàn)，鐵硅化合物的表面與晶體內(nèi)部不同，具有與磁鐵相同性質(zhì)，可通電。這一成果將有助于電子器件的省電化和高功能化。
2021-2027年中國(guó)非易失性存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)全景調(diào)查及投資前景分析報(bào)告
《2021-2027年中國(guó)非易失性存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)全景調(diào)查及投資前景分析報(bào)告》共十二章，包含非易失性存儲(chǔ)器行業(yè)重點(diǎn)企業(yè)發(fā)展調(diào)研，非易失性存儲(chǔ)器行業(yè)風(fēng)險(xiǎn)及對(duì)策，非易失性存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展及競(jìng)爭(zhēng)策略分析等內(nèi)容。
![2020年全球及中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)及存儲(chǔ)器企業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析[圖]](http://img.chyxx.com/2021/06/20210607132343.jpg?x-oss-process=style/w320)
2020年全球及中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)及存儲(chǔ)器企業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析[圖]
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)由 DRAM、NAND Flash 和 NOR Flash、EEPROM 等細(xì)分市場(chǎng)組成，2020 年全球 DRAM 全球市場(chǎng)規(guī)模約 695 億美元，NAND Flash 全球市場(chǎng)規(guī)模約421億美元，NOR Flash、EEPROM及其他半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模約76億美元。由此可見(jiàn)，DRAM和 NAND Flash 占據(jù)了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)的主要份額，合計(jì)市場(chǎng)份額達(dá)到93.6%。
2021-2027年中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局分析及投資前景規(guī)劃報(bào)告
《2021-2027年中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局分析及投資前景規(guī)劃報(bào)告》共十二章，包含半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)投資環(huán)境分析，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)投資機(jī)會(huì)與風(fēng)險(xiǎn)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)投資戰(zhàn)略研究等內(nèi)容。
2022-2028年中國(guó)NAND FLASH產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)現(xiàn)狀及投資前景分析報(bào)告
《2022-2028年中國(guó)NAND FLASH產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)現(xiàn)狀及投資前景分析報(bào)告》共十四章，包含2022-2028年NAND FLASH行業(yè)投資機(jī)會(huì)與風(fēng)險(xiǎn)，NAND FLASH行業(yè)投資戰(zhàn)略研究，研究結(jié)論及投資建議等內(nèi)容。
2022-2028年中國(guó)DRAM存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)狀況及投資方向研究報(bào)告
《2022-2028年中國(guó)DRAM存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)狀況及投資方向研究報(bào)告》共十四章，包含2022-2028年DRAM存儲(chǔ)器行業(yè)投資機(jī)會(huì)與風(fēng)險(xiǎn)，DRAM存儲(chǔ)器行業(yè)投資戰(zhàn)略研究，研究結(jié)論及投資建議等內(nèi)容。
2022-2028年中國(guó)DRAM存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)格局及投資風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估報(bào)告
《2022-2028年中國(guó)DRAM存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)格局及投資風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估報(bào)告》共十二章，包含DRAM存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)分析，未來(lái)DRAM存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展預(yù)測(cè)，DRAM存儲(chǔ)器行業(yè)投資機(jī)會(huì)與風(fēng)險(xiǎn)等內(nèi)容。