研究團(tuán)隊發(fā)現(xiàn)鐵硅化合物可用作非易失性存儲器材料

據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報道，日本東京大學(xué)與理化學(xué)研究所、東北大學(xué)、原子能研究機構(gòu)等合作研究，成功地將自然界存儲豐富的鐵硅化合物應(yīng)用于不使用電源也能保持記憶的“非揮發(fā)性存儲”信息記憶技術(shù)。研究發(fā)現(xiàn)，鐵硅化合物的表面與晶體內(nèi)部不同，具有與磁鐵相同性質(zhì)，可通電。這一成果將有助于電子器件的省電化和高功能化。

以前，鐵硅化合物因結(jié)晶內(nèi)部沒有磁鐵的性質(zhì)不處于能通電的狀態(tài)，被認(rèn)為不適用于電子器件的應(yīng)用。但研究對鐵硅化合物表面狀態(tài)進(jìn)行研究時發(fā)現(xiàn)，在其表面下約0.3納米內(nèi)的極淺層存在磁鐵和通電特性。進(jìn)一步的研究表明，電流可以控制磁化方向。因此，鐵硅化合物可以應(yīng)用于利用磁化方向記憶信息并通過電流高速控制的非易失性存儲器。

注：本文摘自國外相關(guān)研究報道，文章內(nèi)容不代表本網(wǎng)站觀點和立場，僅供參考。

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