摘要：作為半導(dǎo)體材料的重要組成部分，掩模版占半導(dǎo)體材料市場規(guī)模的比例約為12%，僅次于硅片和電子特氣。2022年全球半導(dǎo)體掩模版市場規(guī)模為83.76億美元，中國市場規(guī)模為16.68億美元，占全球23.24%的市場份額。未來，隨著半導(dǎo)體行業(yè)容量的持續(xù)上升，中國半導(dǎo)體掩模版市場規(guī)模將不斷提升，占全球的市場份額不斷擴(kuò)大。

一、定義及分類

半導(dǎo)體掩模板（Mask Template）是半導(dǎo)體制造中用于光刻工藝的關(guān)鍵工具。它是一種圖形化或圖像化的文件，用于定義在芯片表面上形成不同層次結(jié)構(gòu)的圖案。半導(dǎo)體掩模板根據(jù)其用途和設(shè)計特點(diǎn)可以分為光刻掩模模板、蝕刻掩模模板、金屬掩模模板、多層掩模模板、尺寸修正掩模模板、特殊工藝掩模模板等。在半導(dǎo)體制造中，不同類型的掩模模板在不同的工藝步驟中發(fā)揮著關(guān)鍵的作用，確保芯片的正確制造。

二、行業(yè)政策

1、主管部門及監(jiān)管體制

掩模版行業(yè)的主管部門為工信部，行業(yè)的自律性組織主要為中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會和中國電子材料行業(yè)協(xié)會，工信部和行業(yè)協(xié)會構(gòu)成了掩模版行業(yè)的管理體系，行業(yè)內(nèi)企業(yè)在主管部門宏觀調(diào)控、行業(yè)協(xié)會自律規(guī)范的約束下，基于市場化方式自主生產(chǎn)經(jīng)營，自主承擔(dān)市場風(fēng)險。

2、相關(guān)政策

國家相關(guān)支持政策明確了半導(dǎo)體行業(yè)在國民經(jīng)濟(jì)中的戰(zhàn)略地位。掩模版作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的上游核心材料，技術(shù)壁壘高，國內(nèi)自產(chǎn)率低，長期依賴國外進(jìn)口，在當(dāng)前貿(mào)易摩擦、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逆全球化的國際形勢下，國產(chǎn)替代大勢所趨?！丁笆奈濉眹倚畔⒒l(fā)展規(guī)劃》中提出加快集成電路關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，加快集成電路設(shè)計工具、重點(diǎn)裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)，推動絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）等特色工藝突破；《新時期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》提出進(jìn)一步優(yōu)化集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，在財稅、投融資、研究開發(fā)、人才、知識產(chǎn)權(quán)等方面給予集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件諸多優(yōu)惠政策，明確在規(guī)定的時期內(nèi)，線寬小于0.25微米（含）的特色工藝集成電路生產(chǎn)企業(yè)（含掩模版）進(jìn)口用生產(chǎn)性原材料、消耗品等，免征進(jìn)口關(guān)稅。中國政府頒布一系列政策和法規(guī)的發(fā)布和落實(shí)，從多個角度對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及其關(guān)鍵材料給予了政策支持，為掩模版行業(yè)及其上下游行業(yè)創(chuàng)造了良好的經(jīng)營環(huán)境，有力地推動了中國半導(dǎo)體掩模版行業(yè)的發(fā)展。

三、行業(yè)壁壘

半導(dǎo)體掩模版行業(yè)具有顯著的資本投入大、技術(shù)壁壘高的特點(diǎn)，第三方半導(dǎo)體掩模版行業(yè)的進(jìn)入門檻不僅體現(xiàn)在設(shè)備投入與人才投入，更是體現(xiàn)在專有技術(shù)積累上，半導(dǎo)體掩模版高度依賴專有技術(shù)，具有鮮明的“Know-How”特點(diǎn)，進(jìn)入門檻較高。目前，半導(dǎo)體掩模版行業(yè)集中度較高，主要競爭企業(yè)為了獲得更多的市場份額，采取加大資本投入、采取價格競爭等手段，將導(dǎo)致行業(yè)競爭加劇，這對于新進(jìn)入企業(yè)也形成較高的壁壘。

四、產(chǎn)業(yè)鏈

當(dāng)前中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的軟件、設(shè)備及關(guān)鍵材料等產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)均不完善。半導(dǎo)體掩模板是半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵組成部分，產(chǎn)業(yè)鏈上游涉及到芯片電路的設(shè)計、光刻技術(shù)等多個步驟和領(lǐng)域，這些高度專業(yè)化的技術(shù)和工藝，對于半導(dǎo)體制造的成功起到了至關(guān)重要的作用。從掩模版制造的核心原材料和設(shè)備來看，高精度半導(dǎo)體掩模版核心原材料石英基板仍被日韓企業(yè)壟斷，設(shè)備仍主要依賴進(jìn)口。

半導(dǎo)體掩模板行業(yè)位于中游，主要競爭企業(yè)包括美國Photronics、日本Toppan、日本DNP、中國臺灣光罩以及中國大陸的華潤迪思微、中微掩模等。其產(chǎn)業(yè)鏈下游應(yīng)用于邏輯電路制造、模擬電路制造、功率器件制造、MEMS傳感器制造、IC封裝等領(lǐng)域。掩模版是半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵材料，用于半導(dǎo)體制造的光刻環(huán)節(jié)。

半導(dǎo)體掩模版行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈

芯片設(shè)計

中芯國際集成電路制造有限公司

杭州士蘭微電子股份有限公司

中星微電子

大唐微電子技術(shù)有限公司

上海華虹（集團(tuán)）有限公司

石英基板

韓國三星集團(tuán)，信越化學(xué)工業(yè)株式會社

賀利氏控股集團(tuán)

德山公司

動力性能材料公司

尼康公司

上游

中芯國際光罩廠

無錫迪思微電子有限公司

無錫中微掩模電子有限公司

深圳市龍圖光罩股份有限公司

中游

邏輯電路制造

模擬電路制造

功率器件制造

MEMS傳感器制造

下游

五、行業(yè)現(xiàn)狀

根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)統(tǒng)計，全球半導(dǎo)體材料市場規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)步增長態(tài)勢，從2017年469億美元增長至2021年643億美元，年復(fù)合增長率為8.21%，2022年全球半導(dǎo)體材料市場規(guī)模約為698億美元；中國半導(dǎo)體材料市場規(guī)?？焖僭鲩L，從2019年的87億美元增長至2021年的119億美元，年復(fù)合增長率為16.95%，2022年中國大陸半導(dǎo)體材料市場規(guī)模約為163億美元，增速遠(yuǎn)超全球半導(dǎo)體材料市場。據(jù)統(tǒng)計，作為半導(dǎo)體材料的重要組成部分，掩模版占半導(dǎo)體材料市場規(guī)模的比例約為12%，僅次于硅片和電子特氣。由此推算，2022年全球半導(dǎo)體掩模版市場規(guī)模為83.76億美元，中國半導(dǎo)體掩模版的市場規(guī)模約為16.68億美元，占全球23.24%的市場份額。未來，隨著半導(dǎo)體行業(yè)容量的持續(xù)上升，中國半導(dǎo)體掩模版市場規(guī)模將不斷提升，占全球的市場份額不斷擴(kuò)大。

六、發(fā)展因素

1、機(jī)遇

在市場、國家戰(zhàn)略、產(chǎn)業(yè)自主可控等多重因素的驅(qū)動下，中國已成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備銷售市場，并始終維持?jǐn)U張趨勢。半導(dǎo)體掩模板的市場需求與半導(dǎo)體更新?lián)Q代、產(chǎn)線擴(kuò)充直接相關(guān)。隨著新能源汽車、光伏發(fā)電、自動駕駛、物聯(lián)網(wǎng)等新一輪科技逐漸走向產(chǎn)業(yè)化，以功率器件為代表的特色工藝半導(dǎo)體發(fā)展迅速，不斷進(jìn)行產(chǎn)品迭代，為半導(dǎo)體掩模版創(chuàng)造了大量的市場需求。同時，以功率器件為代表的特色工藝半導(dǎo)體的功率密度、單位性能也要求越來越高。這些半導(dǎo)體必須通過結(jié)構(gòu)、制程、技術(shù)、工藝、集成度、材料等方面的不斷進(jìn)步，來實(shí)現(xiàn)功率密度及單位性能的提升。半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)、制程、技術(shù)、工藝、集成度、材料每發(fā)生一次迭代，就需要更換一套新的半導(dǎo)體掩模版。因此，在當(dāng)前新興行業(yè)的不斷驅(qū)動下，功率半導(dǎo)體等半導(dǎo)體產(chǎn)品持續(xù)進(jìn)行更新迭代，帶來了大量的特色工藝半導(dǎo)體掩模版需求。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，也是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的支柱性產(chǎn)業(yè)，在實(shí)現(xiàn)制造業(yè)升級、保障國家安全等方面發(fā)揮著重要的作用，在當(dāng)前貿(mào)易摩擦、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逆全球化的背景下，加速進(jìn)口替代已上升到國家戰(zhàn)略高度，作為半導(dǎo)體核心原材料的國內(nèi)半導(dǎo)體掩模版行業(yè)發(fā)展迎來了歷史性的機(jī)遇。

2、挑戰(zhàn)

中國半導(dǎo)體掩模板起步較晚，在這一領(lǐng)域的實(shí)力仍然較弱。目前國內(nèi)獨(dú)立第三方掩模廠商量產(chǎn)品制程主要為180nm及以上，150nm以下制程掩模板幾乎空白。資料顯示，中國在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域雖取得了一些進(jìn)步，但在掩模板制造方面，仍然需要時間來達(dá)到國際先進(jìn)水平。中國的一些企業(yè)在研發(fā)掩模板制造技術(shù)方面進(jìn)行了努力，但在高精度制造、材料技術(shù)等方面可能還有待提升。與此同時，中國在發(fā)展半導(dǎo)體掩模板產(chǎn)業(yè)時也面臨著諸多挑戰(zhàn)，涉及產(chǎn)業(yè)鏈配套能力、設(shè)備、人才、競爭力、品牌影響力等方面，尤其是高端人才，由于半導(dǎo)體掩模版技術(shù)壁壘高，生產(chǎn)工藝復(fù)雜，因此，對高端復(fù)合型人才需求較高。

七、競爭格局

1、全球市場競爭格局

掩模版作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的上游核心材料，技術(shù)壁壘高，國內(nèi)自產(chǎn)率低，長期依賴進(jìn)口，第三方半導(dǎo)體掩模版市場主要被美、日等境外廠商等控制。據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)統(tǒng)計，在全球半導(dǎo)體掩模版市場，晶圓廠自行配套的掩模版工廠規(guī)模占比65%，獨(dú)立第三方掩模廠商規(guī)模占比35%，其中獨(dú)立第三方掩模版市場主要被美國Photronics、日本Toppan和日本DNP三家公司所控制，三者共占八成以上的市場規(guī)模，市場集中度較高。

2、中國市場競爭格局

（1）國內(nèi)主要競爭企業(yè)

由于半導(dǎo)體掩模版具有較高的進(jìn)入門檻，國內(nèi)半導(dǎo)體掩模版主要生產(chǎn)商僅包括中芯國際光罩廠、華潤迪思微（原華潤掩模，華潤微電子子公司）、中微掩模、龍圖光罩、清溢光電、路維光電、中國臺灣光罩等。中芯國際光罩廠和華潤迪思微為晶圓廠自建工廠，其中中芯國際光罩廠的產(chǎn)品供內(nèi)部使用；華潤迪思微的產(chǎn)品主要供內(nèi)部使用，部分掩模版對外提供；清溢光電、路維光電產(chǎn)品以中大尺寸平板顯示掩模版為主，半導(dǎo)體掩模版占比較低。

（2）領(lǐng)先企業(yè)分析

深圳市龍圖光罩股份有限公司的主營業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體掩模版的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是國內(nèi)稀缺的獨(dú)立第三方半導(dǎo)體掩模版廠商。龍圖光罩緊跟國內(nèi)特色工藝半導(dǎo)體發(fā)展路線，不斷進(jìn)行技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)品迭代，半導(dǎo)體掩模版工藝節(jié)點(diǎn)從1μm逐步提升至130nm，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于功率半導(dǎo)體、MEMS傳感器、IC封裝、模擬IC等特色工藝半導(dǎo)體領(lǐng)域，終端應(yīng)用涵蓋新能源、光伏發(fā)電、汽車電子、工業(yè)控制、無線通信、物聯(lián)網(wǎng)、消費(fèi)電子等場景。

分營收結(jié)構(gòu)來看，龍圖光罩按應(yīng)用領(lǐng)域劃分營收主要是由半導(dǎo)體掩模版、光學(xué)器件及其他領(lǐng)域三部分構(gòu)成，半導(dǎo)體掩模版是其主要營收支柱。龍圖光罩半導(dǎo)體掩模版營業(yè)收入連續(xù)多年保持兩位數(shù)的同比增長，占公司總營收的比重不斷擴(kuò)大。2022年龍圖光罩半導(dǎo)體掩模版營業(yè)收入為1.38億元，占公司總營收的85.44%。2023年上半年龍圖光罩半導(dǎo)體掩模版營業(yè)收入為0.94億元，占公司總營收的91.14%。

八、發(fā)展趨勢

掩模版在半導(dǎo)體芯片制造中扮演著至關(guān)重要的角色，它們是制造復(fù)雜電路結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工具。掩模版的精準(zhǔn)和準(zhǔn)確性直接影響著芯片的性能和制造質(zhì)量。近年來，半導(dǎo)體掩模版行業(yè)市場規(guī)模持續(xù)快速增長。未來，隨著半導(dǎo)體行業(yè)容量的持續(xù)上升，半導(dǎo)體掩模版市場規(guī)模將不斷提升。邏輯工藝路線和特色工藝路線是當(dāng)今半導(dǎo)體工藝兩大方向，半導(dǎo)體掩模版最小線寬及精度隨著半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點(diǎn)的進(jìn)步而不斷提升。隨著特色工藝半導(dǎo)體快速發(fā)展，對掩模版定制化要求越來越高，同時，隨著芯片光刻層數(shù)增加，導(dǎo)致掩模版的張數(shù)增加，數(shù)據(jù)處理難度加大，套刻精度控制要求更高。