2025年中國第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)整體發(fā)展形勢及未來趨勢研判：行業(yè)正迎來發(fā)展機遇，龍頭企業(yè)競爭力增強，國產(chǎn)化率提升[圖]

內(nèi)容概要：第三代半導(dǎo)體材料是繼以硅(Si)和砷化鎵(GaAs)為代表的第一代和第二代半導(dǎo)體材料之后，迅速發(fā)展起來的寬禁帶半導(dǎo)體材料。隨著“碳達峰、碳中和”戰(zhàn)略的推進實施，綠色、低碳、清潔能源等技術(shù)將加速應(yīng)用，第三代半導(dǎo)體材料作為實現(xiàn)高效電能轉(zhuǎn)換技術(shù)的重要支撐獲得快速發(fā)展。2023年我國第三代半導(dǎo)體功率電子和微波射頻兩個領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)總產(chǎn)值155億元，其中，SiC、GaN功率電子產(chǎn)值規(guī)模85.4億元，GaN微波射頻產(chǎn)值70億元。2024年，我國第三代半導(dǎo)體功率電子和微波射頻兩個領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)總產(chǎn)值約168億元，其中，SiC、GaN功率電子產(chǎn)值規(guī)模約95億元，GaN微波射頻產(chǎn)值約73億元。隨著人工智能、數(shù)據(jù)中心、汽車電子等應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展，行業(yè)正迎來前所未有的發(fā)展機遇。

上市企業(yè)：華潤微(688396.SH)、三安光電（600703）、士蘭微(600460)、賽微電子(300456.SZ)、天岳先進(688234)

關(guān)鍵詞：第三代半導(dǎo)體材料市場規(guī)模、第三代半導(dǎo)體材料市場競爭格局、第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展前景

一、第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)概況

半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。而第三代半導(dǎo)體材料主要是指以硅(Si)和砷化鎵(GaAs)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、臨界磁場高、電子遷移率與電子飽和遷移速率極高等性質(zhì)，適用于高壓、高頻、高溫的應(yīng)用場景，如新能源車、可再生能源、5G通信等。

二、第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

第三代半導(dǎo)體材料是繼以硅(Si)和砷化鎵(GaAs)為代表的第一代和第二代半導(dǎo)體材料之后，迅速發(fā)展起來的寬禁帶半導(dǎo)體材料。它是通過材料性能躍遷推動電力電子系統(tǒng)效率提升（如SiC逆變器使電動車?yán)m(xù)航增加5%-10%），是未來十年全球科技競爭的戰(zhàn)略制高點，中國在該領(lǐng)域的產(chǎn)能擴張與關(guān)鍵技術(shù)突破正加速改寫全球產(chǎn)業(yè)格局。

目前，SiC和GaN是第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)較為成熟的材料。SiC具有高臨界磁場、高電子飽和速度與極高熱導(dǎo)率等特點，使得其器件適用于高頻高溫的應(yīng)用場景，相較于硅器件，可以顯著降低開關(guān)損耗。因此，SiC可以制造高耐壓、大功率電力電子器件如MOSFET、IGBT、SBD等，用于智能電網(wǎng)、新能源汽車等行業(yè)。與硅元器件相比，GaN具有高臨界磁場、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點，是超高頻器件的極佳選擇，適用于5G通信、微波射頻等領(lǐng)域的應(yīng)用。

近年來，全球SiC和GaN材料的市場規(guī)模呈現(xiàn)逐年增長趨勢，2023年全球SiC和GaN的整體市場規(guī)模約43億美元。在混合動力和電動汽車、電源和光伏逆變器等需求的推動下，2024年，全球SiC和GaN功率半導(dǎo)體市場規(guī)模約為50億美元。

第三代半導(dǎo)體技代表了新一代半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展方向。近年來，在國家政策持續(xù)支持、技術(shù)創(chuàng)新加速的推動下，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體向好，尤其是第三代半導(dǎo)體技術(shù)。隨著“碳達峰、碳中和”戰(zhàn)略的推進實施，綠色、低碳、清潔能源等技術(shù)將加速應(yīng)用，第三代半導(dǎo)體材料作為實現(xiàn)高效電能轉(zhuǎn)換技術(shù)的重要支撐獲得快速發(fā)展。

初步核算，2023年我國第三代半導(dǎo)體功率電子和微波射頻兩個領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)總產(chǎn)值155億元。其中，SiC、GaN功率電子產(chǎn)值規(guī)模達85.4億元，GaN微波射頻產(chǎn)值為70億元；2024年我國第三代半導(dǎo)體功率電子和微波射頻兩個領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)總產(chǎn)值大約168億元。其中，SiC、GaN功率電子產(chǎn)值規(guī)模約95億元GaN微波射頻產(chǎn)值約73億元。

相關(guān)報告：智研咨詢發(fā)布的《中國第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)市場需求分析及投資戰(zhàn)略咨詢報告》

三、第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈

1、第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)

第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游主要包括碳化硅的原料石英礦、石油焦，氮化鎵的原料硝酸鹽、金屬鎵；行業(yè)中游為第三代半導(dǎo)體材料生產(chǎn)；行業(yè)下游主要應(yīng)用于器件/模塊的制造，半導(dǎo)體產(chǎn)品終端應(yīng)用于新能源車、可再生能源、5G通信等各個領(lǐng)域。

2、第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游-金屬鎵

金屬鎵是第三代半導(dǎo)體制造的重要原材料，芯片、5G、新能源汽車都要用到它，我國是全球金屬鎵的最大生產(chǎn)國，主要供應(yīng)美國、歐盟、日本和韓國等發(fā)達經(jīng)濟體。2023年我國金屬鎵產(chǎn)量801噸，較2022年增加186噸；2024年前三季度，我國金屬鎵產(chǎn)量為756噸。

3、第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈下游-新能源汽車

第三代半導(dǎo)體材料因具有高頻、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優(yōu)越性能使得它們在新能源汽車中有著廣泛的應(yīng)用，不僅可以提升整車的能源傳輸和轉(zhuǎn)換效率，還可以促進新能源汽車的產(chǎn)品升級換代。近年來，我國新能源汽車產(chǎn)銷量逐年增長，2024年，新能源汽車產(chǎn)銷量持續(xù)攀升，均突破1000萬輛，產(chǎn)銷量分別達到1288.8萬輛、1286.6萬輛。

四、第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)競爭格局

1、主要企業(yè)

中國第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)將在政策、技術(shù)、市場需求的三重驅(qū)動下加速發(fā)展，國內(nèi)主流半導(dǎo)體企業(yè)均加強在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的布局，市場競爭愈加激烈。目前，我國第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)主要企業(yè)包括三安光電、華潤微、士蘭微、賽微電子、天岳先進等企業(yè)。

2、代表企業(yè)

1）、華潤微

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，華潤微多項產(chǎn)品的性能、工藝居于國內(nèi)領(lǐng)先地位，華潤微已具備較強的產(chǎn)品技術(shù)與制造工藝能力，形成了先進的特色工藝和系列化的產(chǎn)品線，華潤微研發(fā)費用逐年增加，高研發(fā)投入奠定了工藝技術(shù)優(yōu)勢基礎(chǔ)。2021年至2023年，華潤微研發(fā)投入分別為7.13億元、9.21億元、11.54億元、，占營業(yè)收入的比例分別為7.71%、9.16%和11.66%。

2）、三安光電

三安光電是國內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù)實力雄厚、高知名度的企業(yè)，2023年，三安光電的化合物半導(dǎo)體營業(yè)收入102.03億元，較2022年增加3.86億元；LED外延芯片營業(yè)收入56.65億元，較2022年增加3.36億元；集成電路芯片營業(yè)收入23.07億元，較2022年增加0.32億元。

五、第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展趨勢

第三代半導(dǎo)體材料因其在高溫、高壓、高頻等極端環(huán)境下的卓越性能，隨著人工智能、數(shù)據(jù)中心、汽車電子等應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展，行業(yè)正迎來前所未有的發(fā)展機遇。

以上數(shù)據(jù)及信息可參考智研咨詢（yhcgw.cn）發(fā)布的《中國第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)市場需求分析及投資戰(zhàn)略咨詢報告》。智研咨詢是中國領(lǐng)先產(chǎn)業(yè)咨詢機構(gòu)，提供深度產(chǎn)業(yè)研究報告、商業(yè)計劃書、可行性研究報告及定制服務(wù)等一站式產(chǎn)業(yè)咨詢服務(wù)。您可以關(guān)注【智研咨詢】公眾號，每天及時掌握更多行業(yè)動態(tài)。