光刻機(jī)是半導(dǎo)體制造過程中價(jià)值量和技術(shù)壁壘最高的設(shè)備之一。全球光刻機(jī)市場規(guī)模超230 億美元,ASML 處于絕對領(lǐng)先,國內(nèi)市場規(guī)模超200 億元,但是國產(chǎn)化率僅2.5%。目前半導(dǎo)體制造工藝節(jié)點(diǎn)縮小至5nm 及以下,曝光波長逐漸縮短至13.5nm,光刻技術(shù)逐步完善成熟,但是國內(nèi)光刻機(jī)仍明顯落后ASML。
同時(shí),美國對中國先進(jìn)制程設(shè)備和技術(shù)圍追堵截,光刻機(jī)處于核心“卡脖子”狀態(tài)。產(chǎn)業(yè)本土化趨勢下,制造環(huán)節(jié)先行,我們認(rèn)為國產(chǎn)高端光刻機(jī)的發(fā)展有望獲得推動(dòng),光刻機(jī)及半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈將有望同步受益。
光刻機(jī):半導(dǎo)體制造過程中價(jià)值量、技術(shù)壁壘和時(shí)間占比最高的設(shè)備之一。一個(gè)指甲大小的芯片可以由上百億個(gè)晶體管組成,制造工藝的難度和精細(xì)度要求極高。芯片制造過程是多層疊加的,上百億只晶體管由金屬線條連接起來,實(shí)現(xiàn)了芯片的功能。半導(dǎo)體設(shè)備是芯片制造的核心包括晶圓制造和封裝測試等,其中光刻工藝是半導(dǎo)體制造的重要步驟之一,其成本約為整個(gè)硅片制造工藝的1/3,耗時(shí)約占整個(gè)硅片工藝的40~60%。光刻是半導(dǎo)體制造的重要步驟之一,實(shí)質(zhì)為光源通過掩膜版將其附有的臨時(shí)電路結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到硅片表面的光敏薄膜上,再通過一系列處理形成特定的電路結(jié)構(gòu)。在芯片制造過程中,光刻機(jī)是決定制程工藝的關(guān)鍵設(shè)備,光刻機(jī)分辨率就越高,制程工藝越先進(jìn)。
市場概況:全球光刻機(jī)市場規(guī)模超230 億美元,ASML 處于絕對領(lǐng)先,上海微實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)零突破。2021/22 年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模均超千億美元,其中晶圓制造中光刻設(shè)備為關(guān)鍵工藝設(shè)備,設(shè)備價(jià)值在晶圓廠單條產(chǎn)線成本中占比最高,根據(jù)Gartner 預(yù)測,2022 年全球晶圓制造設(shè)備市場中光刻設(shè)備占比21.3%, 全球半導(dǎo)體光刻設(shè)備市場規(guī)模約231 億美元。全球來看:2022 年全球光刻機(jī)年銷量約為500 臺(tái),主要市場被ASML、Canon、Nikon 壟斷,其中高端光刻機(jī)ASML處于絕對領(lǐng)先地位。國內(nèi)來看:根據(jù)長江存儲(chǔ)、華力集成、華虹無錫2015-2022年的招標(biāo)數(shù)據(jù),共公開采購光刻設(shè)備157 臺(tái),總體國產(chǎn)化率為2.5%。其中荷蘭的阿斯麥中標(biāo)95 臺(tái),占比60.5%;日本的佳能和尼康分別中標(biāo)35/11 臺(tái),占比分別為22.3%/7.0%。國內(nèi)上海微電子光刻機(jī)目前實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代,共中標(biāo)3 臺(tái),占比1.9%,未來有待繼續(xù)突破實(shí)現(xiàn)高端國產(chǎn)替代。
技術(shù)發(fā)展:工藝節(jié)點(diǎn)不斷縮小至5nm 及以下,曝光波長逐漸縮短至13.5nm,光刻技術(shù)逐步完善成熟。自20 世紀(jì)60 年代推出光刻機(jī)以來,光刻技術(shù)經(jīng)歷了接觸/接近式光刻、光學(xué)投影光刻、步進(jìn)重復(fù)光刻、掃描光刻、浸沒式光刻到EUV光刻的發(fā)展歷程。光刻設(shè)備的系統(tǒng)越來越復(fù)雜,范疇也不斷拓展。我們根據(jù)北京集電DRAM 項(xiàng)目的環(huán)評報(bào)告,對其芯片生產(chǎn)過程中光刻機(jī)的分層使用情況進(jìn)行測算,先進(jìn)制程產(chǎn)線依然對傳統(tǒng)機(jī)型有較高需求。此外,未來技術(shù)來看,無掩模光刻及NIL 壓印或?yàn)樘娲窂剑夹g(shù)發(fā)展仍存在較高不確定性。
技術(shù)壁壘:光刻分辨率決定工藝區(qū)間,多重曝光技術(shù)拓展工藝邊界。光刻工藝的關(guān)鍵指標(biāo)為光刻分辨率(CD)、套刻精度(Overlay)和產(chǎn)能,決定了產(chǎn)品的定位和應(yīng)用場景?;仡欀袊雽?dǎo)體設(shè)備的發(fā)展歷史,“起步早、門類全、發(fā)展曲折”,目前和國際先進(jìn)水平還有2 代(ArFi、EUV 技術(shù))的差距,國內(nèi)廠商正在努力追趕。我們認(rèn)為,國內(nèi)的先進(jìn)光刻技術(shù)的發(fā)展有兩條可以路線同時(shí)進(jìn)行:
一條是迭代浸沒式DUV 光刻機(jī),實(shí)現(xiàn)多重曝光功能,另一條是長期布局EUV光刻技術(shù)。
光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈:上萬個(gè)零部件,上千家供應(yīng)商,全球協(xié)作打造高端設(shè)備。半導(dǎo)體制程越先進(jìn),需要光刻設(shè)備越精密復(fù)雜,包括高頻率的激光光源、光掩模的對位精度、設(shè)備穩(wěn)定度等,集合許多領(lǐng)域的最尖端技術(shù)。光刻機(jī)生產(chǎn)制造的技術(shù)要 求極高,ASML 一臺(tái)光刻機(jī)包含了10 萬個(gè)零部件,主要部件包含測量臺(tái)與曝光臺(tái)、激光器、光束矯正器、能量控制器等11 個(gè)模塊。目前國內(nèi)以上海微電子為首的光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈已初具雛形,全產(chǎn)業(yè)鏈均在快速發(fā)展。除光刻機(jī)整機(jī)集成外,還包括光源、物鏡與照明系統(tǒng)、雙工件臺(tái)、浸沒系統(tǒng)等關(guān)鍵組成部分,與顯影涂膠及量測檢測的配套設(shè)備均在快速成長。
風(fēng)險(xiǎn)因素:政策支持力度不及預(yù)期,先進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新不及預(yù)期,國際產(chǎn)業(yè)環(huán)境變化和貿(mào)易摩擦加劇風(fēng)險(xiǎn),技術(shù)路線革新,下游需求波動(dòng)等。
投資策略:我們認(rèn)為,國內(nèi)對于光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈的投資和支持力度持續(xù)加大,國產(chǎn)高端光刻機(jī)的發(fā)展有望獲得推動(dòng),半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈將有望同步受益。我們認(rèn)為,未來若DUV 及EUV 設(shè)備逐步實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化突破,對28nm 和14nm 產(chǎn)線有能力逐步實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代,有望迎來新一輪的半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)周期。建議關(guān)注受到光刻機(jī)“卡脖子”問題影響的半導(dǎo)體制造、設(shè)備、零部件自主化替代的相關(guān)公司,尤其是光刻工藝相關(guān)的設(shè)備和零部件廠商,包括芯源微、茂萊光學(xué)、奧普光電、福晶科技、炬光科技、騰景科技、富創(chuàng)精密、旭光電子等。
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2025-2031年中國光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)發(fā)展態(tài)勢及投資決策建議報(bào)告
《2025-2031年中國光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)發(fā)展態(tài)勢及投資決策建議報(bào)告》共十一章,包含光刻機(jī)行業(yè)發(fā)展趨勢分析,2025-2031年中國光刻機(jī)的投資風(fēng)險(xiǎn)與投資建議,研究結(jié)論及發(fā)展建議等內(nèi)容。



