2022年中國(guó)第三代半導(dǎo)體發(fā)展環(huán)境（PEST）分析： 市場(chǎng)空間仍待開(kāi)發(fā)，國(guó)內(nèi)企業(yè)加速追趕[圖]

一、第三代半導(dǎo)體簡(jiǎn)介

第三代半導(dǎo)體以寬禁帶為標(biāo)志，也稱寬禁帶半導(dǎo)體。二十一世紀(jì)以來(lái)，以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化鋅(ZnO)、金剛石為四大代表的第三代半導(dǎo)體材料開(kāi)始初露頭角。第三代半導(dǎo)體并非是第一代和第二代半導(dǎo)體的升級(jí)，并不比前兩代更加先進(jìn)，三者其實(shí)是共存的關(guān)系，各有各的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域。

半導(dǎo)體材料發(fā)展路徑

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與硅、砷化鎵等前兩代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，因此采用第三代半導(dǎo)體材料制備的半導(dǎo)體器件不僅能在更高的溫度下穩(wěn)定運(yùn)行，適用于高電壓、高頻率場(chǎng)景，此外，還能以較少的電能消耗，獲得更高的運(yùn)行能力。

第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用

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二、政策環(huán)境分析（P）

為推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，帶動(dòng)傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)改造和產(chǎn)品升級(jí)換代，進(jìn)一步促進(jìn)國(guó)民經(jīng)濟(jì)持續(xù)、快速、健康發(fā)展，我國(guó)出臺(tái)了《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄（2019 年版）》、《“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng) 2020 年度項(xiàng)目》、《中華人民共和國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十四個(gè)五年規(guī)劃和 2035 年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》等一系列政策對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)行支持和鼓勵(lì)。

2021年以來(lái)中國(guó)第三代半導(dǎo)體相關(guān)政策

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三、經(jīng)濟(jì)環(huán)境分析（E）

以第三代半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的新興技術(shù)正迅速崛起，其技術(shù)及應(yīng)用的突破成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地。2017-2020年期間，中國(guó)SiC、GaN電力電子器件應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模快速擴(kuò)大，在2020年已經(jīng)達(dá)到46.8億元，同比增長(zhǎng)19.08%。

2017-2020年中國(guó)SiC、GaN電力電子器件應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模

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隨著5G、新能源汽車等市場(chǎng)發(fā)展，第三代半導(dǎo)體的需求規(guī)模保持高速增長(zhǎng)，再加之中美貿(mào)易摩擦為國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展帶來(lái)良機(jī)，2020年，中國(guó)SiC、GaN電子電力和GaN微波射頻總產(chǎn)值已經(jīng)達(dá)到105.5億元，同比增長(zhǎng)69.5%。

2016-2020年中國(guó)SiC、GaN電子電力和GaN微波射頻總產(chǎn)值（億元）

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近年來(lái)，第三代半導(dǎo)體材料的滲透率逐年提升，從2017年的0.98%提升到了2020年的2.15%，根據(jù)Yole預(yù)測(cè)，在2023年第三代半導(dǎo)體材料的滲透率將達(dá)到4.75%，其中GaN的滲透率占1%，SiC的滲透率占3.75%。

2017-2023年全球半導(dǎo)體材料的滲透率及預(yù)測(cè)

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四、社會(huì)環(huán)境分析（S）

美國(guó)對(duì)中國(guó)的科技制裁層層加碼，國(guó)外部分發(fā)達(dá)國(guó)家對(duì)我國(guó)實(shí)行技術(shù)封鎖和產(chǎn)品禁運(yùn)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從全球的高度分工走向“脫鉤“，從2018年至今，美國(guó)從一開(kāi)始的對(duì)電子器件征收高額關(guān)稅，到打擊華為、中興、中芯，再到封鎖超算芯片、EDA軟件、半導(dǎo)體制造設(shè)備等，甚至對(duì)相關(guān)美國(guó)人也進(jìn)行了明確限制。中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展陷入困局，加速國(guó)產(chǎn)替代勢(shì)在必行。

第三代半導(dǎo)體國(guó)外制裁法令

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五、技術(shù)專利分析（T）

目前，雖然國(guó)外企業(yè)在技術(shù)、產(chǎn)能等方面具有先發(fā)優(yōu)勢(shì)，但第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展歷史相對(duì)較短，國(guó)內(nèi)外差距相對(duì)較小，在需求高漲的背景下，國(guó)內(nèi)企業(yè)有望加速實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。從專利申請(qǐng)量來(lái)看，2019年至今每年第三代半導(dǎo)體專利申請(qǐng)量均保持在150項(xiàng)以上，相比前些年有很大的超越。從行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)角度來(lái)看，美歐日為主導(dǎo)，海外廠商例如Wolfspeed已突破8英寸節(jié)點(diǎn)，國(guó)內(nèi)企業(yè)還處于4、6英寸襯底導(dǎo)入階段。但是國(guó)內(nèi)企業(yè)目前正在加速追趕，在專利和市占率持續(xù)提升，國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)化帶有“學(xué)研”基因極為突出，包括天岳、天科合達(dá)均為始于院校研究所。

2013-2022年中國(guó)第三代半導(dǎo)體專利申請(qǐng)量

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以上數(shù)據(jù)及信息可參考智研咨詢（yhcgw.cn）發(fā)布的《中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展模式及競(jìng)爭(zhēng)格局預(yù)測(cè)報(bào)告》。智研咨詢是中國(guó)領(lǐng)先產(chǎn)業(yè)咨詢機(jī)構(gòu)，提供深度產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告、商業(yè)計(jì)劃書(shū)、可行性研究報(bào)告及定制服務(wù)等一站式產(chǎn)業(yè)咨詢服務(wù)。您可以關(guān)注【智研咨詢】公眾號(hào)，每天及時(shí)掌握更多行業(yè)動(dòng)態(tài)。