半導(dǎo)體行業(yè)快報(bào)：HBM加速迭代疊加美國(guó)限制出口 國(guó)產(chǎn)自主可控重要性日益凸顯

投資要點(diǎn)

根據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)新聞》12 月4 日?qǐng)?bào)道，SK 海力士將于25H2 采用臺(tái)積電3nm 生產(chǎn)HBM4。

SK 海力士改采臺(tái)積電3nm 生產(chǎn)HBM4，HBM4E 將引入混合鍵合技術(shù)根據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)新聞》12 月4 日?qǐng)?bào)道，SK 海力士將于25H2 以臺(tái)積電3nm 制程為客戶生產(chǎn)定制化的第六代高頻寬內(nèi)存HBM4；最快將于2025 年3 月發(fā)布一款采用臺(tái)積電3nm 制程生產(chǎn)的基礎(chǔ)裸片的垂直堆疊HBM4 原型，主要出貨的客戶為英偉達(dá)。三星同樣預(yù)計(jì)在25H2 提供HBM4 樣品，批量生產(chǎn)計(jì)劃在26 財(cái)年。

產(chǎn)能方面，根據(jù)CFM 數(shù)據(jù)，至2024 年底三星、SK 海力士和美光合計(jì)HBM 月產(chǎn)能將達(dá)30 萬(wàn)片，其中三星HBM 增產(chǎn)最為激進(jìn)；預(yù)計(jì)2025 年全球HBM 市場(chǎng)規(guī)模將上看300 億美元，HBM 將占DRAM 晶圓產(chǎn)能約15%至20%。

HBM3E 及之前的HBM 都是采用DRAM 制程的基礎(chǔ)裸片，而HBM4 基礎(chǔ)裸片將采用臺(tái)積電3nm 的先進(jìn)邏輯工藝，以推動(dòng)性能和能效進(jìn)一步提升。此外，隨著HBM 堆疊層數(shù)逐漸增加，存儲(chǔ)廠商正積極推動(dòng)在HBM4 中引入無(wú)助焊劑鍵合技術(shù)，以進(jìn)一步縮小DRAM 堆疊間距；其中，美光動(dòng)作最為積極，已開始與合作伙伴測(cè)試新制程，SK 海力士正在評(píng)估無(wú)助焊劑鍵合技術(shù)，三星電子也正在密切關(guān)注相關(guān)技術(shù)。根據(jù)SK 海力士HBM 封裝路線圖，其將在計(jì)劃于2026 年量產(chǎn)的HBM4E 中采用混合鍵合技術(shù)?；旌湘I合技術(shù)可最大限度地縮小DRAM 的間隙，且沒(méi)有微凸塊電阻，因此信號(hào)傳輸速度更快，熱量管理更為高效。

為應(yīng)對(duì)AI 浪潮帶來(lái)的強(qiáng)勁需求，英偉達(dá)已與臺(tái)積電等供應(yīng)鏈合作伙伴提前啟動(dòng)了下一代Rubin 平臺(tái)的研發(fā)工作，原定于2026 年亮相的Rubin 芯片有望提前半年發(fā)布，即2025 年下半年面世。臺(tái)積電計(jì)劃擴(kuò)大CoWoS 先進(jìn)封裝產(chǎn)能，以滿足Rubin 芯片的預(yù)期需求；目標(biāo)在25Q4 將CoWoS 月產(chǎn)能提升至8 萬(wàn)片。英偉達(dá)Rubin GPU 將配備8 個(gè)HBM4 芯片，其增強(qiáng)版Rubin Ultra GPU 將集成12 顆HBM4 芯片，預(yù)計(jì)于2027 年推出。

我們認(rèn)為，AI 強(qiáng)勁需求正推動(dòng)HBM 市場(chǎng)高速增長(zhǎng)，同時(shí)HBM 持續(xù)升級(jí)迭代也不斷帶來(lái)新技術(shù)、新工藝的投資機(jī)會(huì)。

美國(guó)新增對(duì)HBM 的出口管制，HBM 國(guó)產(chǎn)自主可控重要性日益凸顯2024 年12 月2 日，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）修訂了《出口管理?xiàng)l例》（EAR），新的出口限制包括限制向中國(guó)出口先進(jìn)HBM，并對(duì)24 種半導(dǎo)體制造設(shè)備和3 種軟件工具進(jìn)行出口管制，包括美國(guó)公司在外國(guó)工廠生產(chǎn)的設(shè)備。

140 家中國(guó)實(shí)體被增列至出口管制實(shí)體清單，中芯國(guó)際、武漢新芯、北方華創(chuàng)、拓荊科技、盛美均在該清單上。

根據(jù)新的3A090.c，IFR 將管制“Memory bandwidth density”大于2GB/s/mm2  的HBM。當(dāng)前生產(chǎn)的所有HBM 都超過(guò)了此閾值，即對(duì)于目前幾乎所有現(xiàn)行生產(chǎn)的HBM，均不能出口到中國(guó)。TrendForce 表示，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商武漢新芯和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正處于HBM 制造的早期階段，其中武漢新芯正在針對(duì)HBM 建造月產(chǎn)能3000 片晶圓的12 英寸工廠，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)則與封測(cè)廠通富微電合作開發(fā)了HBM 樣品，并向潛在的客戶展示。

我們認(rèn)為，美國(guó)進(jìn)一步升級(jí)對(duì)華出口管制凸顯HBM 全產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)產(chǎn)自主可控的重要性，產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)的國(guó)產(chǎn)廠商迎來(lái)前所未有的發(fā)展良機(jī)。

投資建議

建議關(guān)注HBM 產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)標(biāo)的：1）封測(cè)環(huán)節(jié)：通富微電（先進(jìn)封裝）、長(zhǎng)電科技（先進(jìn)封裝）等；2）設(shè)備環(huán)節(jié)：拓荊科技（PECVD+ALD+鍵合設(shè)備）、華海清科（減薄+CMP）、芯源微（臨時(shí)鍵合與解鍵合）、華卓精科（擬上市，鍵合設(shè)備）等；3）材料環(huán)節(jié)：華海誠(chéng)科（環(huán)氧塑封料）、天承科技（RDL+TSV電鍍添加劑）、艾森股份（先進(jìn)封裝電鍍）、聯(lián)瑞新材（硅微粉）等。

風(fēng)險(xiǎn)提示：行業(yè)與市場(chǎng)波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)，國(guó)際貿(mào)易摩擦風(fēng)險(xiǎn)，新技術(shù)、新工藝、新產(chǎn)品無(wú)法如期產(chǎn)業(yè)化風(fēng)險(xiǎn)，產(chǎn)能擴(kuò)張進(jìn)度不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇風(fēng)險(xiǎn)。

知前沿，問(wèn)智研。智研咨詢是中國(guó)一流產(chǎn)業(yè)咨詢機(jī)構(gòu)，十?dāng)?shù)年持續(xù)深耕產(chǎn)業(yè)研究領(lǐng)域，提供深度產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告、商業(yè)計(jì)劃書、可行性研究報(bào)告及定制服務(wù)等一站式產(chǎn)業(yè)咨詢服務(wù)。專業(yè)的角度、品質(zhì)化的服務(wù)、敏銳的市場(chǎng)洞察力，專注于提供完善的產(chǎn)業(yè)解決方案，為您的投資決策賦能。

轉(zhuǎn)自華金證券股份有限公司 研究員：孫遠(yuǎn)峰/王海維