核心提要
核心要點(diǎn):AI算力發(fā)展與政策PUE等驅(qū)動(dòng)下,芯片級(jí)散熱將從熱管/VC轉(zhuǎn)向更高效的3DVC與液冷,芯片級(jí)散熱有望打開成長(zhǎng)空間。
一、芯片散熱概覽:功耗升級(jí)、散熱技術(shù)持續(xù)革新電子設(shè)備發(fā)熱的本質(zhì)原因就是工作能量轉(zhuǎn)化為熱能的過程。散熱是為解決高性能計(jì)算設(shè)備中的熱管理問題而設(shè)計(jì)的,它們通過直接在芯片或處理器表面移除熱量來優(yōu)化設(shè)備性能并延長(zhǎng)使用壽命。隨著芯片功耗的提升,散熱技術(shù)從一維熱管的線式均溫,到二維VC的平面均溫,發(fā)展到三維的一體式均溫,即3D VC技術(shù)路徑,最后發(fā)展到液冷技術(shù)。
二、主要散熱技術(shù):從風(fēng)冷到液冷,冷板到浸沒式散熱技術(shù)包括風(fēng)冷與液冷兩類。風(fēng)冷技術(shù)中,熱管與VC的散熱能力較低,3D VC散熱上限擴(kuò)至1000W,均需搭配風(fēng)扇進(jìn)行散熱,技術(shù)簡(jiǎn)單、便宜,適用于大多數(shù)設(shè)備。液冷技術(shù)具備更高散熱效率,包括冷板式與浸沒式兩類,其中冷板式為間接冷卻,初始投資中等,運(yùn)維成本較低,相對(duì)成熟,英偉達(dá)GB200 NVL72采用冷板式液冷解決方案;浸沒式為直接冷卻,技術(shù)要求較高,運(yùn)營(yíng)維護(hù)成本較高,曙光數(shù)創(chuàng)研發(fā)“1拖2”雙相浸沒液冷結(jié)構(gòu)。
三、性能+TCO多重驅(qū)動(dòng),散熱市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)向上AI大模型訓(xùn)推對(duì)芯片算力提出更高要求,提升單芯片功耗。芯片溫度影響性能,當(dāng)芯片工作溫度近70-80℃ 時(shí),溫度每升高2℃,芯片性能會(huì)降低約10%,故單芯片功耗增長(zhǎng)進(jìn)一步提升散熱需求。此外,英偉達(dá)B200功耗超1000W、接近風(fēng)冷散熱上限;“雙碳”+東數(shù)西算等政策嚴(yán)格數(shù)據(jù)中心PUE要求,液冷平均PUE低于風(fēng)冷;TCO方面,相比風(fēng)冷,冷板液冷的初始投資成本接近風(fēng)冷,并且后續(xù)運(yùn)行成本更低。
據(jù)Precedence,預(yù)期2024-2026年全球AI芯片市場(chǎng)規(guī)模CAGR為29.72%,2024年預(yù)期全球交換機(jī)市場(chǎng)規(guī)模同比+5%左右。隨著芯片及服務(wù)器、交換機(jī)的市場(chǎng)規(guī)模擴(kuò)大,且芯片功耗增長(zhǎng)提高散熱要求,我們認(rèn)為芯片級(jí)散熱市場(chǎng)規(guī)模增速有望提升。
投資建議:AI算力發(fā)展與政策PUE等驅(qū)動(dòng)下,芯片級(jí)散熱將從熱管/VC轉(zhuǎn)向更高效的3DVC與冷板,芯片級(jí)散熱有望打開成長(zhǎng)空間、迎量?jī)r(jià)齊升。
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2024-2030年中國(guó)AI算力(人工智能算力) 行業(yè)市場(chǎng)運(yùn)行格局及未來趨勢(shì)研判報(bào)告
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