光刻膠行業(yè)：破壁引光 小流成海

    投資摘要：

    光刻工藝是集成電路制造中最為關(guān)鍵的工序，是其他步驟能正常進行的先決條件。光刻工藝占整個晶圓制造成本的35%，耗費時間占據(jù)整個制造過程的40%~60%。根據(jù)SEMI 相關(guān)行業(yè)報告數(shù)據(jù)，光刻膠全球市場空間約80 億美元，2021 至2026 年CAGR 約為6%。市場空間巨大。

    光刻膠是半導體材料中技術(shù)壁壘高。全球范圍內(nèi)有能力制造符合當下制程要求，并穩(wěn)定大規(guī)模供應的光刻膠制造商主要集中在日本與美國。其中來自日本的日本合成橡膠（JSR）、東京應化（TOK）、信越化學、富士電子、杜邦/Dow、AZ（Merck并購）。 光刻膠的技術(shù)壁壘主要體現(xiàn)在以下幾個方面：

    光刻膠中涉及到復雜的光化學反應。光敏感成分是光刻膠配方的核心，光敏成分與樹脂之間在光照情況下的相互作用，是光刻過程中的重要環(huán)節(jié)。早期的光刻膠樹脂本身就是光敏試劑，但隨著晶圓制造工藝的不斷演進，其中對于曝光線寬的要求越來越高，光化學反應也日益變得趨于復雜。

    光刻膠必須配套不同制程中使用的設(shè)備，進行相應的演化。隨著制程的推進，光源的波長也在逐漸減小以提高光學分辨率。由于不同感光試劑的特征吸收光譜不同，因此對應每一代光刻設(shè)備，光刻膠的配方體系都要近乎推倒重來。因此對于光刻膠廠商的技術(shù)積淀與技術(shù)前瞻性和響應速度有著極高的要求。

    光刻膠本身的物理屬性也有較高的要求。流動性，粘度的穩(wěn)定性，與硅片的附著力，在烘烤下的穩(wěn)定性，抗干蝕刻的機械強度等因素，都會影響到光刻工藝最終的良率。

    光刻膠按照應用領(lǐng)域可分為PCB 用光刻膠、顯示面板用光刻膠與集成電路用光刻膠。針對不同應用場景，光刻的過程有較大的區(qū)別，因此不存在配方通用的情況。

    國內(nèi)光刻膠供應商包括雅克科技、南大光電、晶瑞電材、彤程新材、飛凱材料、容大感光、上海新陽、永太科技等。與日本美國的行業(yè)龍頭相比，國內(nèi)的光刻膠制造商仍有較大差距，體現(xiàn)在如下幾個方面：

    發(fā)展時間較短，相關(guān)技術(shù)研發(fā)積累有限。大部分美日廠商在半導體材料領(lǐng)域都有超過30 年的研發(fā)經(jīng)驗，已經(jīng)形成了成熟的研發(fā)體系與技術(shù)平臺，且專利壁壘極高。

    供應鏈整合能力較弱，單體，樹脂等核心原材料需要依靠從進口供應商外采。

    可以覆蓋的技術(shù)節(jié)點與應用有限，由于起步較晚，國內(nèi)光刻膠公司業(yè)務通常較為單薄，只能覆蓋個別應用或者若干制程所需的相應產(chǎn)品。無法形成協(xié)同效應。

    光刻膠的研發(fā)過程需要先進光刻設(shè)備進行配套，國內(nèi)對于先進制程設(shè)備的采購需要通過美國政府部門的審批。且復雜昂貴的光刻設(shè)備使用和維護開支也增加了公司的研發(fā)開支。

    投資策略：優(yōu)先配置具有核心技術(shù)與半導體材料領(lǐng)域積累的龍頭標的，研發(fā)導向性企業(yè)在面臨技術(shù)革新與工藝迭代時會表現(xiàn)出更強的適應能力與可持續(xù)發(fā)展的潛力。

    風險提示：研發(fā)進度不及預期，國產(chǎn)替代進度不及預期，下游晶圓廠擴產(chǎn)不及預期導致的供需失衡，消費電子低迷與新能源車滲透率增長不及預期帶來的終端需求萎縮，國際貿(mào)易摩擦導致的上游原材料供應風險。