半導(dǎo)體行業(yè)周刊：加強(qiáng)半導(dǎo)體技術(shù)攻關(guān)，全力推動(dòng)產(chǎn)業(yè)集群化

【重點(diǎn)政策】深圳寶安區(qū)印發(fā)《寶安區(qū)2024年國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展計(jì)劃》，加速打造半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群

4月3日，深圳市寶安區(qū)發(fā)展和改革局印發(fā)《寶安區(qū)2024年國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展計(jì)劃》（以下簡(jiǎn)稱《發(fā)展計(jì)劃》）。

《發(fā)展計(jì)劃》提出，實(shí)施“5+1+N”產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展戰(zhàn)略，出臺(tái)半導(dǎo)體與集成電路、智能網(wǎng)聯(lián)汽車等8個(gè)專項(xiàng)政策，新涌現(xiàn)1個(gè)千億集群、兩個(gè)500億集群，戰(zhàn)新產(chǎn)業(yè)增加值占GDP比重突破50%。全市高端裝備、新材料產(chǎn)業(yè)集群基金成功落戶。重投天科第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目試投產(chǎn)，半導(dǎo)體封測(cè)集群入圍省中小企業(yè)特色產(chǎn)業(yè)集群。

點(diǎn)評(píng)：近年來，在巨大的市場(chǎng)需求、豐厚的人口紅利、穩(wěn)定的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)條件推動(dòng)下，國(guó)內(nèi)各省市地方政府對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展關(guān)注度日益提升，在中央政策支持引導(dǎo)下，各地區(qū)半導(dǎo)體相關(guān)政策陸續(xù)出臺(tái)，為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展奠定良好基礎(chǔ)，全國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模得以加速擴(kuò)容。據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)銷售額由2017年的7885億元增長(zhǎng)至2022年的13839億元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)11.91%；2023年，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模約增長(zhǎng)達(dá)15009億元。

目前，面對(duì)技術(shù)工藝發(fā)展日益成熟的半導(dǎo)體市場(chǎng)，產(chǎn)業(yè)集群化成為推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的必行之路?！栋l(fā)展計(jì)劃》的出臺(tái)，說明深圳市寶安區(qū)政府已將半導(dǎo)體集群化發(fā)展列為本區(qū)2024年社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展推進(jìn)的重心之一。未來一年內(nèi)，深圳市寶安區(qū)政府將根據(jù)《發(fā)展計(jì)劃》的發(fā)展規(guī)劃，充分結(jié)合市場(chǎng)發(fā)展情況，對(duì)區(qū)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作出更為詳細(xì)、精準(zhǔn)的發(fā)展計(jì)劃，積極推動(dòng)轄區(qū)內(nèi)在建半導(dǎo)體項(xiàng)目試產(chǎn)投產(chǎn)的同時(shí)，加強(qiáng)政府招商引資力度，實(shí)施“5+1+N”產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展戰(zhàn)略，引入更多優(yōu)秀的半導(dǎo)體企業(yè)，且引導(dǎo)相關(guān)企業(yè)就近、集群落戶，加速打造寶安區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群化高地，進(jìn)一步降低區(qū)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)成本、提高行業(yè)生產(chǎn)效率，以持續(xù)推動(dòng)深圳市甚至是全國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

圖1：2017-2023年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)銷售規(guī)模變化（單位：億元）

資料來源：中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、智研咨詢整理

【重點(diǎn)政策】江蘇無錫發(fā)布《無錫市強(qiáng)化企業(yè)科技創(chuàng)新主體地位行動(dòng)方案》，不斷提升半導(dǎo)體科技創(chuàng)新孵化能力

4月2日，在江蘇省無錫市人民政府舉行的新聞發(fā)布會(huì)上，無錫市人民政府辦公室正式發(fā)布《無錫市強(qiáng)化企業(yè)科技創(chuàng)新主體地位行動(dòng)方案》（以下簡(jiǎn)稱《行動(dòng)方案》）。

《行動(dòng)方案》重點(diǎn)提出，以新建成投用科創(chuàng)載體為重點(diǎn)，圍繞人工智能、量子科技、第三代半導(dǎo)體、合成生物等我市未來產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，強(qiáng)化專業(yè)團(tuán)隊(duì)引領(lǐng)、專業(yè)平臺(tái)支撐、專業(yè)基金賦能，支持科技領(lǐng)軍企業(yè)、高校院所、投資機(jī)構(gòu)等主體建設(shè)一批專業(yè)化程度高、孵化成效好、產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)性大、示范引領(lǐng)性強(qiáng)的標(biāo)桿型眾創(chuàng)空間與孵化器。支持具備較好科技產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)的各類開發(fā)區(qū)、科技新城、科創(chuàng)片區(qū)，立足自身資源稟賦，高標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)一批集創(chuàng)新、創(chuàng)業(yè)、產(chǎn)業(yè)、文化和社區(qū)等功能有機(jī)融合的科創(chuàng)綜合體。到2027年，新增市級(jí)以上眾創(chuàng)空間、科技企業(yè)孵化器200家、省級(jí)以上科技企業(yè)孵化器20家，建成10家地標(biāo)型科創(chuàng)綜合體。

【重點(diǎn)事件】晶存科技存儲(chǔ)芯片制造總部項(xiàng)目落戶中山三鄉(xiāng)

4月3日，深圳市晶存科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“晶存科技”）、三鄉(xiāng)鎮(zhèn)人民政府、中山市投資控股集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中山投控”）在三鄉(xiāng)鎮(zhèn)政府舉行晶存科技存儲(chǔ)芯片制造總部項(xiàng)目簽約儀式。接下來，晶存科技將投資超10億元在中山市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園建設(shè)存儲(chǔ)芯片測(cè)試線和先進(jìn)封裝工藝線，該項(xiàng)目也將成為晶存科技存儲(chǔ)芯片制造總部項(xiàng)目。

對(duì)晶存科技而言，這一定位未來的總部項(xiàng)目落地，意味著企業(yè)聚焦集中化、智能化打造一個(gè)年產(chǎn)值50億元的生產(chǎn)總部。

對(duì)中山而言，晶存科技的重磅布局，不僅能促進(jìn)三鄉(xiāng)當(dāng)?shù)氐漠a(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)，更能憑借其深厚的技術(shù)和行業(yè)積累，吸引更多產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)和優(yōu)秀人才，進(jìn)而助推半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與創(chuàng)新資源集聚，助力中山打造新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)集群，發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力。

【重點(diǎn)事件】惠然科技半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備總部項(xiàng)目落地?zé)o錫濱湖

4月1日，惠然科技半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備總部項(xiàng)目正式簽約落地濱湖。該項(xiàng)目由惠然科技有限公司投資，包含公司總部、上市主體以及新設(shè)立的半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)基地，總投建金額達(dá)10億元，將為濱湖乃至無錫深化集成電路產(chǎn)業(yè)鏈布局、健全集成電路產(chǎn)業(yè)“生態(tài)圈”注入新動(dòng)能。

【重點(diǎn)事件】長(zhǎng)春經(jīng)開光電信息產(chǎn)業(yè)園二期項(xiàng)目預(yù)計(jì)6月竣工

4月2日，長(zhǎng)春新聞報(bào)道，長(zhǎng)春經(jīng)開光電信息產(chǎn)業(yè)園二期項(xiàng)目產(chǎn)業(yè)孵化大廈的外墻裝飾工作已經(jīng)基本完成，室內(nèi)裝飾正在同步施工。相關(guān)負(fù)責(zé)人透露，項(xiàng)目預(yù)計(jì)今年6月竣工，主要承載CMOS圖像傳感器產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展及孵化，助力長(zhǎng)春市光電產(chǎn)業(yè)集群式發(fā)展。

據(jù)了解，長(zhǎng)春光電信息產(chǎn)業(yè)園是由中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光機(jī)所牽頭，在長(zhǎng)春市人民政府、長(zhǎng)春經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)支持下建設(shè)的專業(yè)化特色科技產(chǎn)業(yè)園。目前，長(zhǎng)春經(jīng)開區(qū)光電信息產(chǎn)業(yè)園區(qū)一期項(xiàng)目已經(jīng)建成投入使用，二期項(xiàng)目占地21000平方米，總投資11.4億元。投用后，主要承載CMOS圖像傳感器產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展及孵化，將圍繞長(zhǎng)光辰芯、長(zhǎng)光華大、長(zhǎng)光正圓等頭部企業(yè)的上下游企業(yè)進(jìn)行精準(zhǔn)招商，進(jìn)一步打造光電信息產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)，助力長(zhǎng)春市新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級(jí)。

【重點(diǎn)技術(shù)】華東理工大學(xué)自主研發(fā)通用晶體生長(zhǎng)技術(shù)，國(guó)內(nèi)新型半導(dǎo)體材料庫(kù)進(jìn)一步豐富

4月6日，華東理工大學(xué)宣布，校內(nèi)清潔能源材料與器件團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)了一種鈣鈦礦單晶晶片通用生長(zhǎng)技術(shù)，將晶體生長(zhǎng)周期由7天縮短至1.5天，實(shí)現(xiàn)了30余種金屬鹵化物鈣鈦礦半導(dǎo)體的低溫、快速、可控制備，為新一代高性能光電子器件提供了豐富的材料庫(kù)。相關(guān)成果發(fā)表于國(guó)際學(xué)術(shù)期刊《自然·通訊》。

【重點(diǎn)技術(shù)】北京大學(xué)申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)專利，實(shí)現(xiàn)源漏互連時(shí)的自對(duì)準(zhǔn)

4月6日，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告顯示，北京大學(xué)申請(qǐng)一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體器件”的專利，公開號(hào)CN117832173A，申請(qǐng)日期為2023年12月。

專利摘要顯示，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體器件，上述方法包括：提供一形成有鰭狀結(jié)構(gòu)的襯底；其中，鰭狀結(jié)構(gòu)包括在第一方向上排布的器件區(qū)和場(chǎng)區(qū)；去除鰭狀結(jié)構(gòu)中位于場(chǎng)區(qū)的第一部分，保留場(chǎng)區(qū)的第二部分；基于鰭狀結(jié)構(gòu)的上部，形成第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一源漏結(jié)構(gòu)、第一源漏金屬和第一層間介質(zhì)層；倒片并去除襯底，以暴露鰭狀結(jié)構(gòu)的下部；去除場(chǎng)區(qū)的第二部分，以暴露第一層間介質(zhì)層；基于鰭狀結(jié)構(gòu)的下部，形成第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第二源漏結(jié)構(gòu)、第二源漏金屬和第二層間介質(zhì)層；第一層間介質(zhì)層和第二層間介質(zhì)層中形成有互連通孔結(jié)構(gòu)；互連通孔結(jié)構(gòu)與第一源漏金屬、第二源漏金屬連接。

【重點(diǎn)技術(shù)】華中科技大學(xué)與九峰山實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合突破光刻膠技術(shù)瓶頸

4月2日，據(jù)湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室官方消息，九峰山實(shí)驗(yàn)室與華中科技大學(xué)組成的聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)在光刻膠技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破，成功研發(fā)出“雙非離子型光酸協(xié)同增強(qiáng)響應(yīng)的化學(xué)放大光刻膠”技術(shù)。

光刻膠是半導(dǎo)體制造過程中不可或缺的關(guān)鍵材料，其質(zhì)量和性能直接影響到集成電路的電性、成品率及可靠性等核心指標(biāo)。然而，長(zhǎng)期以來，能夠滿足工藝穩(wěn)定性高、工藝寬容度大、普適性強(qiáng)的光刻膠產(chǎn)品并不多見，這成為了制約我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步發(fā)展的瓶頸之一。

華中科技大學(xué)與九峰山實(shí)驗(yàn)室的聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)，通過巧妙的化學(xué)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，構(gòu)建出新型的雙非離子型光酸協(xié)同增強(qiáng)響應(yīng)的化學(xué)放大光刻膠。這種光刻膠通過兩種光敏單元的協(xié)同作用，實(shí)現(xiàn)了光酸的快速生成和高效催化，從而實(shí)現(xiàn)了高精度、高分辨率的圖案轉(zhuǎn)移。

目前，這項(xiàng)技術(shù)的研發(fā)成果已經(jīng)在國(guó)際頂級(jí)期刊《化學(xué)工程雜志》上發(fā)表，并獲得了國(guó)家自然科學(xué)基金和973計(jì)劃的共同資助。

華中科技大學(xué)與九峰山實(shí)驗(yàn)室的這次聯(lián)合突破，不僅展示了我國(guó)科研團(tuán)隊(duì)在光刻膠技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累和創(chuàng)新能力，也為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了新的技術(shù)支撐。未來，隨著這項(xiàng)技術(shù)的進(jìn)一步推廣和應(yīng)用，相信將有力推動(dòng)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向更高水平邁進(jìn)，為國(guó)家的科技進(jìn)步和經(jīng)濟(jì)發(fā)展做出更大的貢獻(xiàn)。

【重點(diǎn)企業(yè)】鑫威源大功率藍(lán)光半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目竣工

4月1日，鑫威源大功率藍(lán)光半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目竣工儀式在大橋智能制造產(chǎn)業(yè)園舉行。

據(jù)悉，大功率藍(lán)光半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目由武漢鑫威源電子科技有限公司總投資10億元打造，廠房面積一萬余平方米，主要建設(shè)基于半導(dǎo)體化合物（GaN）技術(shù)的大功率藍(lán)光半導(dǎo)體激光器生產(chǎn)線。目前，已完成廠房及配套裝修，正在進(jìn)行各類設(shè)備儀器調(diào)試，計(jì)劃2025年1月正式投產(chǎn)。

資料顯示，鑫威源是新興光電子行業(yè)高科技企業(yè)，主要圍繞大功率藍(lán)光半導(dǎo)體激光器相關(guān)材料、芯片、封裝及產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造與銷售。上述項(xiàng)目投產(chǎn)后，將彌補(bǔ)國(guó)內(nèi)高端光器件研發(fā)及生產(chǎn)領(lǐng)域的不足，解決我國(guó)在關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域的“卡脖子”問題，為國(guó)產(chǎn)替代做出重要貢獻(xiàn)，具有顯著的經(jīng)濟(jì)與社會(huì)效益。

【重點(diǎn)企業(yè)】偉測(cè)科技擬發(fā)行不超11.75億可轉(zhuǎn)債

4月2日，偉測(cè)科技發(fā)布公告稱，公司擬向不特定對(duì)象發(fā)行可轉(zhuǎn)債募資不超過11.75億元，扣除發(fā)行費(fèi)用后用于偉測(cè)半導(dǎo)體無錫集成電路測(cè)試基地項(xiàng)目、偉測(cè)集成電路芯片晶圓級(jí)及成品測(cè)試基地項(xiàng)目、償還銀行貸款及補(bǔ)充流動(dòng)資金。

根據(jù)公告，偉測(cè)科技本次募投項(xiàng)目主要用于現(xiàn)有主營(yíng)業(yè)務(wù)集成電路測(cè)試業(yè)務(wù)的產(chǎn)能擴(kuò)充，重點(diǎn)擴(kuò)充“高端芯片測(cè)試”和“高可靠性芯片測(cè)試”的產(chǎn)能，提高公司集成電路測(cè)試服務(wù)的效率和交付能力，有利于優(yōu)化公司收入結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)公司在芯片測(cè)試領(lǐng)域的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，提高公司市場(chǎng)份額。

【重點(diǎn)企業(yè)】星思半導(dǎo)體完成超5億元B輪融資，持續(xù)關(guān)注低軌衛(wèi)星通信領(lǐng)域

4月7日，星思半導(dǎo)體完成超5億元B輪融資，本輪投資方包括中電數(shù)據(jù)基金、鼎暉香港基金、藍(lán)盾光電、華創(chuàng)資本、朗潤(rùn)利方、興鼎基金、浙江雷可澳等，老股東沃賦創(chuàng)投繼續(xù)追加投資。星思半導(dǎo)體是一家平臺(tái)型基帶芯片設(shè)計(jì)企業(yè)，本輪融資完成后，公司將繼續(xù)加大在低軌衛(wèi)星通信領(lǐng)域全套解決方案的投入，保障和支撐衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)重大戰(zhàn)略項(xiàng)目。

【重點(diǎn)企業(yè)】安建半導(dǎo)體完成超2億元C輪融資，不斷加大產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)

4月7日，安建半導(dǎo)體完成超2億元C輪融資。本輪融資由北京國(guó)管順禧基金及中航投資領(lǐng)投，龍鼎投資、一元航天及萬創(chuàng)投資跟投。募集資金將主要用于開發(fā)及量產(chǎn)汽車級(jí)IGBT與SiC MOS產(chǎn)品平臺(tái)；擴(kuò)建汽車級(jí)IGBT及SiC模塊封裝產(chǎn)線；擴(kuò)充銷售及其他人才團(tuán)隊(duì)；增加營(yíng)運(yùn)現(xiàn)金流儲(chǔ)備等。

【重點(diǎn)企業(yè)】科友和俄羅斯N公司達(dá)成合作，開展“完美八英寸碳化硅籽晶”項(xiàng)目

4月3日，科友半導(dǎo)體宣布，公司于3月27日與俄羅斯N公司在哈爾濱簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，開展“八英寸碳化硅完美籽晶”的項(xiàng)目合作。據(jù)稱，俄羅斯N公司在晶體缺陷密度控制方面有著豐富的研究經(jīng)驗(yàn)，在相關(guān)領(lǐng)域發(fā)表高水平文章及期刊百余篇。

科友半導(dǎo)體表示，通過與俄羅斯N公司的合作，他們將研發(fā)獲得“無微管，低位錯(cuò)”完美籽晶，應(yīng)用品質(zhì)優(yōu)異的籽晶進(jìn)行晶體生長(zhǎng)，會(huì)進(jìn)一步大幅降低8英寸碳化硅晶體內(nèi)部的微管、位錯(cuò)等缺陷密度，從而提高晶體生長(zhǎng)的質(zhì)量和良率，并推動(dòng)碳化硅長(zhǎng)晶爐體及工藝技術(shù)的優(yōu)化與升級(jí)。

此前，科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線平均長(zhǎng)晶良率已突破50%，晶體厚度15mm以上。2022年底，科友半導(dǎo)體在通過自主設(shè)計(jì)制造的電阻長(zhǎng)晶爐產(chǎn)出直徑超過8英寸的SiC單晶，晶體表面光滑無缺陷。此外，在今年3月，科友半導(dǎo)體成功拿下了超2億元的出口歐洲SiC長(zhǎng)訂單，首批產(chǎn)品將在4月交付；并且順利通過“國(guó)際汽車特別工作組質(zhì)量管理體系”（IATF16949）認(rèn)證，進(jìn)軍新能源汽車芯片襯底市場(chǎng)。

【重點(diǎn)企業(yè)】天科合達(dá)北京工廠招標(biāo)8英寸量產(chǎn)設(shè)備

4月2日中國(guó)國(guó)際招標(biāo)網(wǎng)公布信息顯示，天科合達(dá)北京基地正在招標(biāo)8英寸襯底量產(chǎn)線設(shè)備，包含加工產(chǎn)線的倒角-拋光-研磨-清洗及各類測(cè)試設(shè)備等產(chǎn)品。表明天科合達(dá)將進(jìn)一步布局8英寸量產(chǎn)產(chǎn)能。據(jù)悉，在今年3月20日舉行的SEMICON China 2024展會(huì)上，天科合達(dá)就已經(jīng)展出了公司的8英寸導(dǎo)電襯底（500um），8英寸導(dǎo)電襯底(350um)和8英寸的外延片產(chǎn)品。天科合達(dá)表示公司將打造襯底+外延的一體化解決方案，提供豐富的產(chǎn)品組合，為客戶提供更全面的保障和服務(wù)。

【重點(diǎn)企業(yè)】江豐電子與韓國(guó)牙山市政府成功簽約，共建現(xiàn)代化半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地

4月2日，江豐電子宣布，公司與韓國(guó)牙山市政府成功簽署了投資合作協(xié)議，計(jì)劃投資3.5億元在牙山市新建一座現(xiàn)代化的半導(dǎo)體靶材生產(chǎn)工廠。這一合作協(xié)議的簽署標(biāo)志著雙方在半導(dǎo)體領(lǐng)域的合作正式進(jìn)入實(shí)質(zhì)性階段。建成后的工廠將專注于高端半導(dǎo)體靶材的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，致力于提供高品質(zhì)、高性能的半導(dǎo)體材料。

【重點(diǎn)事件】臺(tái)積電將與日本九州大學(xué)簽訂諒解備忘錄，共同培育半導(dǎo)體人才

4月1日消息，臺(tái)積電與日本九州大學(xué)雙方計(jì)劃于本月就半導(dǎo)體領(lǐng)域的廣泛合作簽署諒解備忘錄。根據(jù)即將簽署的諒解備忘錄內(nèi)容，臺(tái)積電將向九州大學(xué)的“價(jià)值創(chuàng)造型半導(dǎo)體人才育成中心”派遣研究人員授課，以解決該領(lǐng)域的人才短缺問題。雙方還將考慮在未來開展聯(lián)合研究。

【重點(diǎn)事件】晶圓代工領(lǐng)域“新貴”Rapidus獲日本政府高額補(bǔ)貼

4月2日，日本批準(zhǔn)向芯片企業(yè)Rapidus公司提供高達(dá)5900億日元（約合39億美元）補(bǔ)貼，幫助Rapidus購(gòu)買芯片制造設(shè)備，并開發(fā)先進(jìn)后端芯片制造工藝，為日本在半導(dǎo)體制造業(yè)實(shí)現(xiàn)趕超雄心投入更多資金。這家成立僅19個(gè)月的初創(chuàng)公司已獲得數(shù)十億美元政府資金。這些撥款旨在恢復(fù)日本昔日芯片制造實(shí)力。

【重點(diǎn)事件】韓國(guó)釜山計(jì)劃新建2座8英寸SiC/GaN工廠

4月6日，據(jù)韓媒報(bào)道，韓國(guó)釜山市正計(jì)劃投建2座8英寸SiC/GaN功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施，最快將于明年下半年開始。據(jù)悉，釜山市政府計(jì)劃投資400億韓元（約合人民幣2.2億），在東南地區(qū)—放射線醫(yī)科學(xué)產(chǎn)業(yè)園區(qū)增建一座采用SiC、GaN等新一代材料的8英寸化合物功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施，該項(xiàng)目已獲得國(guó)家及市級(jí)基金資助。

其次，他們將在機(jī)張郡成立一座新的功率半導(dǎo)體技術(shù)研究所，該研究所將接管位于功率半導(dǎo)體商業(yè)化中心（PSCC）的6英寸功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施，并安裝運(yùn)營(yíng)新的8英寸生產(chǎn)設(shè)施，支持入駐企業(yè)開展1700V級(jí)高壓器件技術(shù)研發(fā)等技術(shù)工作，同時(shí)開展盈利業(yè)務(wù)，計(jì)劃于明年下半年開始建立。

與此同時(shí)，位于功率半導(dǎo)體商業(yè)化中心（PSCC）的20多家半導(dǎo)體公司還計(jì)劃投資1.1萬億韓元（約合人民幣60億），以打造下一代功率半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)。

【重點(diǎn)企業(yè)】鎧俠計(jì)劃在2031年量產(chǎn)1000層3D NAND

4月6日，據(jù)外媒Xtech Nikkei報(bào)道，日本存儲(chǔ)芯片大廠鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima表示，該公司計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。

在近日于東京城市大學(xué)舉行的第71屆應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季會(huì)議上的演講中，Miyajima討論了在3D NAND器件中實(shí)現(xiàn)超過1000層的技術(shù)挑戰(zhàn)和解決方案。

據(jù)介紹，增加3D NAND Flash器件中的有源層數(shù)量是當(dāng)今提高NAND Flash密度的最佳方法，因此所有3D NAND Flash制造商都努力每1.5到2年就推出新的工藝節(jié)點(diǎn)來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。每個(gè)新節(jié)點(diǎn)都會(huì)帶來一些挑戰(zhàn)，因?yàn)?D NAND Flash制造商必須增加層數(shù)并橫向和縱向縮小NAND Flash單元。這個(gè)過程要求制造商在每個(gè)新節(jié)點(diǎn)都采用新材料，這是一項(xiàng)重大的研發(fā)挑戰(zhàn)。

如今，鎧俠最好的3D NAND Flash器件是第八代BiCS 3D NAND Flash，具有218個(gè)有源層和3.2 GT/s接口（于2023年3月首次推出）。這一代引入了一種新穎的CBA（CMOS直接鍵合到陣列）架構(gòu)，該架構(gòu)涉及使用最合適的工藝技術(shù)單獨(dú)制造3D NAND Flash單元陣列晶圓和I/O CMOS晶圓并將它們鍵合在一起。其結(jié)果是產(chǎn)品具有增強(qiáng)的位密度和改進(jìn)的NAND I/O速度，這確保了內(nèi)存可用于構(gòu)建最好的SSD。

與此同時(shí)，鎧俠及其制造合作伙伴西部數(shù)據(jù)（Western Digital）尚未披露CBA架構(gòu)的具體細(xì)節(jié)，例如I/O CMOS晶圓是否包括額外的NAND外圍電路（如頁緩沖器、讀出放大器和電荷泵）。通過分別生產(chǎn)存儲(chǔ)單元和外圍電路，制造商可以為每個(gè)組件利用最高效的工藝技術(shù)，隨著行業(yè)向串堆疊等方法發(fā)展，制造商將獲得更多優(yōu)勢(shì)，串堆疊肯定會(huì)用于1000層3D NAND。

【重點(diǎn)企業(yè)】SK海力士與美國(guó)印第安納州簽約先進(jìn)后端工藝領(lǐng)域投資合作

4月4日，SK海力士宣布，在美國(guó)印第安納州西拉斐特（West Lafayette）建造適于AI的存儲(chǔ)器先進(jìn)封裝生產(chǎn)基地，同時(shí)與美國(guó)普渡（Purdue）大學(xué)等當(dāng)?shù)匮芯繖C(jī)構(gòu)進(jìn)行半導(dǎo)體研究和開發(fā)合作。公司計(jì)劃向該項(xiàng)目投資38.7億美元。