半導(dǎo)體行業(yè)周刊：各地半導(dǎo)體產(chǎn)能建設(shè)加速，持續(xù)助力國(guó)家經(jīng)濟(jì)發(fā)展

【重點(diǎn)技術(shù)】ASML High-NA EUV光刻機(jī)取得突破，成功印刷10nm線寬圖案

據(jù)外媒4月18日消息，荷蘭阿斯麥 （ASML） 公司宣布，其首臺(tái)采用0.55數(shù)值孔徑 （NA） 投影光學(xué)系統(tǒng)的高數(shù)值孔徑 （High-NA） 極紫外 （EUV） 光刻機(jī)已經(jīng)成功印刷出首批圖案。這一突破是ASML公司以及整個(gè)高數(shù)值孔徑EUV光刻技術(shù)領(lǐng)域的一項(xiàng)重大里程碑。

點(diǎn)評(píng)：光刻機(jī)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要生產(chǎn)加工設(shè)備之一。近年來(lái)，在消費(fèi)電子需求相對(duì)低迷的情況下，電動(dòng)汽車、風(fēng)光儲(chǔ)、人工智能等新需求成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)的新動(dòng)能，全球光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)規(guī)模保持穩(wěn)定增長(zhǎng)。數(shù)據(jù)顯示，2023年，全球半導(dǎo)體設(shè)備出貨金額為1063億美元，其中，光刻機(jī)市場(chǎng)占比約為24%。因此，據(jù)統(tǒng)計(jì)，2023年全球光刻機(jī)市場(chǎng)規(guī)模在255.12億美元左右，較上年小幅下降1.27%，較2020年增長(zhǎng)49.28%。從市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局看，荷蘭阿斯麥（ASML）是全球光刻機(jī)制造技術(shù)的絕對(duì)領(lǐng)先企業(yè)，與日本佳能、日本尼康共同占據(jù)全球光刻機(jī)行業(yè)絕大多數(shù)市場(chǎng)份額，引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展。

此次ASML公司宣布的消息意味著，相較于目前13nm分辨率的EUV光刻機(jī)，ASML公司配備0.55NA高數(shù)值孔徑鏡頭的光刻機(jī)設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)8nm的超高分辨率，且該技術(shù)允許在單次曝光下印刷出尺寸減小1.7倍、晶體管密度提高2.9倍的晶體管。這標(biāo)志著全球EUV光刻技術(shù)的新階段已經(jīng)到來(lái)。未來(lái)，ASML公司將逐漸把高數(shù)值孔徑EUV光刻技術(shù)系統(tǒng)調(diào)試至最佳性能，并且將逐步把該項(xiàng)技術(shù)引入至現(xiàn)實(shí)生產(chǎn)環(huán)境中，以消除對(duì)EUV雙重曝光的需求，從而簡(jiǎn)化生產(chǎn)流程、提高產(chǎn)量并降低成本。這將為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來(lái)巨大機(jī)遇，同時(shí)也說(shuō)明，未來(lái)3nm以下制程芯片的規(guī)?；瘜?shí)現(xiàn)可能性將大幅度提升。在此趨勢(shì)下，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)將日益白熱化。

圖1：2020-2023年全球光刻機(jī)市場(chǎng)規(guī)模變化（單位：億美元）

資料來(lái)源：智研咨詢整理

【重點(diǎn)事件】美國(guó)政府宣布計(jì)劃向三星電子提供超60億美元補(bǔ)貼

當(dāng)?shù)貢r(shí)間4月15日，美國(guó)商務(wù)部宣布，美國(guó)政府將基于《芯片與科學(xué)法》，向三星提供64億美元的直接補(bǔ)貼，支持該公司在得克薩斯州建設(shè)半導(dǎo)體工廠及相關(guān)設(shè)施。據(jù)悉，三星將對(duì)其位于得州奧斯汀的現(xiàn)有晶圓廠進(jìn)行擴(kuò)建，同時(shí)在奧斯汀東北方向的泰勒市新建一座晶圓廠、一座先進(jìn)封裝設(shè)施和一座研發(fā)設(shè)施。

【重點(diǎn)事件】2024年第二屆特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展常州大會(huì)隆重舉行

4月18日，2024年第二屆特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展常州大會(huì)舉行。市長(zhǎng)盛蕾，中國(guó)科學(xué)院院士郝躍、中國(guó)工程院院士吳漢明、國(guó)際歐亞科學(xué)院院士魏少軍等出席活動(dòng)。

  現(xiàn)場(chǎng)，亦泓科技智能感知、輕舟微電子MEMS傳感器、浦蘭斯半導(dǎo)體射頻感應(yīng)制粉設(shè)備、鑄遠(yuǎn)智造虛擬傳感器、鳴耀激光固體激光器5個(gè)項(xiàng)目簽約入駐龍城芯谷。來(lái)自西安電子科技大學(xué)、常州大學(xué)、西科控股等高校和投資機(jī)構(gòu)、領(lǐng)軍企業(yè)的6名專家學(xué)者、投資人、企業(yè)高管獲“引才合伙人”授牌。東南大學(xué)可穿戴電子產(chǎn)教融合基地揭牌，基地將圍繞相關(guān)產(chǎn)業(yè)開展產(chǎn)教融合協(xié)同育人，培養(yǎng)更多產(chǎn)業(yè)發(fā)展急需的緊缺人才和原始創(chuàng)新人才。

【重點(diǎn)事件】浙江大學(xué)集成電路學(xué)院與芯啟源、芯云晟建立合作伙伴關(guān)系

4月15日，浙江大學(xué)集成電路學(xué)院與芯啟源電子科技有限公司、芯云晟電子科技有限公司簽約，正式宣布建立長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，旨在打通前沿技術(shù)研發(fā)關(guān)于產(chǎn)業(yè)應(yīng)用端的通路，攻克科研成果產(chǎn)業(yè)化難題，形成從技術(shù)研發(fā)到產(chǎn)品落地的高效雙向循環(huán)。

簽約儀式上，“浙江大學(xué)集成電路學(xué)院-芯啟源-數(shù)字仿真與原型驗(yàn)證聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”、“浙江大學(xué)集成電路學(xué)院-芯云晟-新一代智算網(wǎng)絡(luò)技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”正式揭牌。

【重點(diǎn)事件】金義新區(qū)半導(dǎo)體元器件制造加速器項(xiàng)目開工

4月18日，金義新區(qū)舉行半導(dǎo)體元器件制造加速器項(xiàng)目開工儀式。

據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資15億元，占地面積104.17畝，建筑面積21萬(wàn)平方米，計(jì)劃建設(shè)7棟主體建筑。項(xiàng)目位于集科創(chuàng)研發(fā)、高教孵化、智能制造等多功能為一體的金漪湖科技創(chuàng)新策源地，毗鄰金華科技城、金華理工學(xué)院，金義快速路近在咫尺，位置優(yōu)越，交通便捷。

項(xiàng)目建成后，將用于承載半導(dǎo)體元器件科創(chuàng)領(lǐng)域科技成果孵化，實(shí)現(xiàn)“孵化器+加速器”功能，進(jìn)一步拓展新區(qū)項(xiàng)目招引的空間，實(shí)現(xiàn)筑巢引鳳的同時(shí)，助力新區(qū)信創(chuàng)產(chǎn)業(yè)做優(yōu)做強(qiáng)、構(gòu)建發(fā)展新格局。

【重點(diǎn)事件】能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項(xiàng)目動(dòng)工

4月18日，據(jù)張家港市經(jīng)開區(qū)（楊舍鎮(zhèn)）官微消息，能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項(xiàng)目在張家港經(jīng)開區(qū)再制造基地正式開工建設(shè)。

據(jù)悉，能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項(xiàng)目總投資6000萬(wàn)元，規(guī)劃建設(shè)生產(chǎn)廠房及配套設(shè)施，總建筑面積約10000平方米，采用先進(jìn)半導(dǎo)體外延、測(cè)試等工藝技術(shù)，購(gòu)置MOCVD、XRD衍射儀、AFM原子力顯微鏡等設(shè)備，新建GaN外延片產(chǎn)線。項(xiàng)目投產(chǎn)后，將形成月產(chǎn)15000片6英寸GaN外延片的生產(chǎn)能力。

資料顯示，江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司是主要從事設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售以GaN為代表的復(fù)合半導(dǎo)體高性能晶圓、功率器件、芯片和模塊的高新技術(shù)企業(yè)，擁有包括外延材料、功率芯片和器件、射頻晶圓等行業(yè)內(nèi)最全的產(chǎn)品線，是國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)。

【重點(diǎn)企業(yè)】華虹制造（無(wú)錫）項(xiàng)目FAB9主廠房全面封頂

4月20日，華虹制造（無(wú)錫）項(xiàng)目FAB9主廠房全面封頂，由四建集團(tuán)與十一科技聯(lián)合體承建，比計(jì)劃工期提前30天。

據(jù)悉，華虹無(wú)錫集成電路研發(fā)和制造基地是華虹集團(tuán)走出上海、布局全國(guó)的第一個(gè)制造業(yè)項(xiàng)目。本工程為二期項(xiàng)目，總建筑面積約53萬(wàn)平方米，將建設(shè)一條月產(chǎn)能8.3萬(wàn)片的12英寸特色工藝生產(chǎn)線。

此前消息顯示，2023年6月8日，華虹集團(tuán)旗下華虹宏力在無(wú)錫高新區(qū)啟動(dòng)實(shí)施華虹無(wú)錫集成電路研發(fā)和制造基地二期項(xiàng)目，投資67億美元。依托華虹半導(dǎo)體多年積累的全球領(lǐng)先特色工藝技術(shù)，聚焦車規(guī)級(jí)芯片，對(duì)相關(guān)工藝領(lǐng)域進(jìn)行深入布局和研發(fā)，持續(xù)提升在新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng)、新能源、智能終端等領(lǐng)域的應(yīng)用。

據(jù)了解，2017年8月，華虹無(wú)錫一期項(xiàng)目落戶無(wú)錫高新區(qū)。預(yù)計(jì)一期、二期項(xiàng)目全部達(dá)產(chǎn)后月產(chǎn)能將達(dá)18萬(wàn)片，華虹無(wú)錫項(xiàng)目將成為國(guó)內(nèi)技術(shù)最先進(jìn)、生產(chǎn)規(guī)模最大的12英寸特色工藝研發(fā)和制造基地。

【重點(diǎn)企業(yè)】鑫華半導(dǎo)體年產(chǎn)10000噸電子級(jí)多晶硅項(xiàng)目竣工

4月18日，蒙緣六建發(fā)布消息顯示，內(nèi)蒙古鑫華半導(dǎo)體科技有限公司10000噸每年高純電子級(jí)多晶硅產(chǎn)業(yè)集群項(xiàng)目順利建成，目前已進(jìn)入試生產(chǎn)階段。

據(jù)悉，該項(xiàng)目位于內(nèi)蒙古呼和浩特市賽罕區(qū)金河鎮(zhèn)中環(huán)產(chǎn)業(yè)園，項(xiàng)目占地面積216450平方米，總建筑面積153000平方米，總投資約28億元。建成達(dá)產(chǎn)后，可實(shí)現(xiàn)向全球客戶長(zhǎng)期穩(wěn)定供應(yīng)年產(chǎn)高純電子級(jí)多晶硅10,000噸產(chǎn)能、電子級(jí)二氯二氫硅500噸產(chǎn)能、電子級(jí)三氯氫硅3,000噸產(chǎn)能和電子級(jí)四氯化硅3,000噸產(chǎn)能，滿足全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求量。

【重點(diǎn)企業(yè)】卓銳思創(chuàng)芯片封裝測(cè)試項(xiàng)目簽約

4月18日，卓銳思創(chuàng)芯片封裝測(cè)試項(xiàng)目在深圳正式簽約。據(jù)悉，卓銳思創(chuàng)芯片封裝測(cè)試項(xiàng)目計(jì)劃總投資約20億元，總占地約60畝，將建設(shè)多條新型芯片（28納米）封裝測(cè)試生產(chǎn)線，并在清江浦建設(shè)國(guó)家級(jí)實(shí)驗(yàn)室。項(xiàng)目投產(chǎn)后預(yù)期產(chǎn)能150KK/月，產(chǎn)值20億/年。

【重點(diǎn)企業(yè)】篆芯半導(dǎo)體總部項(xiàng)目落戶蘇州高新區(qū)

4月17日，“蘇州高新區(qū)發(fā)布”官微宣布，篆芯半導(dǎo)體總部項(xiàng)目簽約落戶蘇州高新區(qū)，將加快攻關(guān)突破關(guān)鍵核心技術(shù)，深耕優(yōu)勢(shì)細(xì)分領(lǐng)域，為集成電路產(chǎn)業(yè)集群高質(zhì)量發(fā)展增添新動(dòng)力。

據(jù)悉，此次篆芯半導(dǎo)體簽約落戶，將建設(shè)成為企業(yè)總部，充分發(fā)揮研發(fā)創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)，導(dǎo)入更多高端資源要素，推出更多新技術(shù)新產(chǎn)品，達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)產(chǎn)值15億元。

據(jù)了解，篆芯半導(dǎo)體聚焦具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高性能網(wǎng)絡(luò)芯片及解決方案，面向AI智算、云計(jì)算、運(yùn)營(yíng)商等行業(yè)客戶需求，致力于打造領(lǐng)先的全國(guó)產(chǎn)、高性能、可編程網(wǎng)絡(luò)芯片，著力服務(wù)融入數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展。

【重點(diǎn)事件】西安8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)“交地即交證”

4月19日，西安高新區(qū)以“交地即交證”模式向陜西電子芯業(yè)時(shí)代科技有限公司核發(fā)了8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目的《土地移交單》和《不動(dòng)產(chǎn)權(quán)證書》。

據(jù)悉，8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目位于西安高新區(qū)綜一路以南、綜三路以北、保八路以東、規(guī)劃路以西，總投資45億元，主要建設(shè)一條8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線及配套設(shè)施，建成后將填補(bǔ)我省8英寸半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的空白，預(yù)計(jì)產(chǎn)值28.5億元。

此前消息顯示，該項(xiàng)目于2022年9月完成項(xiàng)目備案，力爭(zhēng)2024年建成投產(chǎn)，建成后該項(xiàng)目將填補(bǔ)陜西省8英寸制造領(lǐng)域的空白。

據(jù)了解，西安高新區(qū)于2020年底啟動(dòng)“交地即交證”改革試點(diǎn)工作，保障了一批社會(huì)民生項(xiàng)目和產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目快速推進(jìn)，為推動(dòng)重點(diǎn)項(xiàng)目建設(shè)注入了動(dòng)能。

【重點(diǎn)事件】南明新型光電顯示產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目簽約

4月21日，2024中國(guó)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移發(fā)展對(duì)接活動(dòng)（貴州）在貴陽(yáng)開幕。南明區(qū)與上海紫騏麟企業(yè)管理有限公司簽署南明新型光電顯示產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目投資合作協(xié)議。

根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，雙方將整合資源優(yōu)勢(shì)，在南明智能制造產(chǎn)業(yè)園投資20億元，其中引進(jìn)外資14.8億元，建設(shè)COB燈帶、半導(dǎo)體器件、新型顯示設(shè)備等光電產(chǎn)品生產(chǎn)線。項(xiàng)目部分產(chǎn)品將用于出口，有效帶動(dòng)外貿(mào)發(fā)展，建成投產(chǎn)后，預(yù)計(jì)五年內(nèi)將累計(jì)實(shí)現(xiàn)規(guī)模以上工業(yè)產(chǎn)值不低于164億元，綜合納稅不低于8.2億元，有效引入資金、人才、技術(shù)、設(shè)備，進(jìn)一步推動(dòng)南明區(qū)新型顯示、半導(dǎo)體等產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展。

【重點(diǎn)企業(yè)】傲迪特半導(dǎo)體攜手鼎華智能啟動(dòng)MES項(xiàng)目

4月15日，傲迪特半導(dǎo)體（南京）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“傲迪特半導(dǎo)體”）攜手南京鼎華智能系統(tǒng)有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鼎華智能”）舉行MES項(xiàng)目啟動(dòng)大會(huì)。這一合作將使傲迪特半導(dǎo)體能夠通過(guò)生產(chǎn)流程的數(shù)字化，快速響應(yīng)客戶需求，提供定制化服務(wù)，保持技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

據(jù)悉，傲迪特半導(dǎo)體憑借在半導(dǎo)體及顯示器行業(yè)積累的十余年設(shè)備零部件精密洗凈經(jīng)驗(yàn)，以及1000多種零件的生產(chǎn)驗(yàn)證洗凈技術(shù)，專注于為泛半導(dǎo)體領(lǐng)域提供全面的生產(chǎn)設(shè)備污染控制解決方案。此次與鼎華智能的CIM系統(tǒng)合作，旨在通過(guò)引入制造執(zhí)行系統(tǒng)（MES），構(gòu)建數(shù)字化車間，實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)任務(wù)過(guò)程的全面管控，確保每一張流程卡在工廠內(nèi)都有完整的數(shù)字足跡，從而提升車間的透明化和智能化水平。

資料顯示，鼎華智能堅(jiān)持智能制造為主攻方向，依托先進(jìn)的工業(yè)軟件 MES（制造執(zhí)行系統(tǒng)）、APS（先進(jìn)排程）、半導(dǎo)體CIM數(shù)字化解決方案等工業(yè)軟件以及數(shù)據(jù)服務(wù)，持續(xù)為電子半導(dǎo)體、離散制造等行業(yè)客戶提供合適的智能工廠數(shù)字化解決方案。

【重點(diǎn)企業(yè)】新陽(yáng)硅密完成超億元B輪融資

4月21日，據(jù)天眼查APP公布信息顯示，新陽(yáng)硅密（上海）半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱“新陽(yáng)硅密”）宣布完成B輪超億元融資。該輪融資由國(guó)鑫投資領(lǐng)投，上?？苿?chuàng)、國(guó)貿(mào)產(chǎn)業(yè)基金跟投。

資料顯示，新陽(yáng)硅密由上海新陽(yáng)半導(dǎo)體材料股份有限公司與硅密四新半導(dǎo)體技術(shù)（上海）有限公司于2016年4月重組成立，打造了研發(fā)中心試驗(yàn)平臺(tái)及制造基地，具有完備的研發(fā)及生產(chǎn)能力。專注于半導(dǎo)體濕法制程電鍍?cè)O(shè)備及相關(guān)濕法裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及服務(wù)，提供性價(jià)比極高的新型全自動(dòng)電鍍機(jī)臺(tái)。其自主研發(fā)設(shè)備包括水平電鍍?cè)O(shè)備、化學(xué)鍍?cè)O(shè)備、清洗/去膠設(shè)備、供液系統(tǒng)等。

【重點(diǎn)企業(yè)】康達(dá)新材子公司擬2.89億元投建半導(dǎo)體光刻膠光引發(fā)劑項(xiàng)目

4月16日，康達(dá)新材發(fā)布公告稱，經(jīng)決議，公司同意控股子公司西安彩晶光電科技股份有限公司投資建設(shè)半導(dǎo)體光刻膠核心材料光引發(fā)劑技術(shù)研究和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。

公告顯示，半導(dǎo)體光刻膠核心材料光引發(fā)劑技術(shù)研究和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目擬建設(shè)于陜西省西安經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)涇渭新城渭華路北段19號(hào)，總投資2.89億元，總規(guī)模為光引發(fā)劑603噸/年。項(xiàng)目可以依托彩晶光電的研發(fā)平臺(tái)和技術(shù)基礎(chǔ)，開展半導(dǎo)體光刻膠關(guān)鍵材料光引發(fā)劑制備技術(shù)的理論研究、基礎(chǔ)研究和應(yīng)用技術(shù)研究，形成系統(tǒng)化的技術(shù)成果。據(jù)了解，目前彩晶光電已掌握TFT液晶面板正性光刻膠核心原材料光引發(fā)劑（PAC）及半導(dǎo)體集成電路光刻膠光引發(fā)劑（PAG）的生產(chǎn)技術(shù)及工藝，多項(xiàng)產(chǎn)品在目標(biāo)客戶處進(jìn)行了性能測(cè)試。彩晶光電擬在此基礎(chǔ)上，通過(guò)本項(xiàng)目的開展完成產(chǎn)品中試和量產(chǎn)工藝技術(shù)研究，并最終形成光引發(fā)劑的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)能力。

此次投資旨在深化落實(shí)康達(dá)新材“新材料+電子科技”戰(zhàn)略布局，進(jìn)一步優(yōu)化控股子公司西安彩晶光電的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代，解決光刻膠核心材料“卡脖子”問(wèn)題，突破國(guó)際技術(shù)和市場(chǎng)壟斷，有力提升我國(guó)光刻產(chǎn)業(yè)鏈自主可控水平。

【重點(diǎn)技術(shù)】我國(guó)研制出世界首個(gè)氮化鎵量子光源芯片

4月18日，電子科技大學(xué)信息與量子實(shí)驗(yàn)室、天府絳溪實(shí)驗(yàn)室量子互聯(lián)網(wǎng)前沿研究中心與清華大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所合作，在國(guó)際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片，這是電子科技大學(xué)“銀杏一號(hào)”城域量子互聯(lián)網(wǎng)研究平臺(tái)取得的又一項(xiàng)重要進(jìn)展，也是天府絳溪實(shí)驗(yàn)室在關(guān)鍵核心技術(shù)領(lǐng)域取得的又一創(chuàng)新成果。

據(jù)悉，研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)迭代電子束曝光和干法刻蝕工藝，攻克高質(zhì)量氮化鎵晶體薄膜生長(zhǎng)、波導(dǎo)側(cè)壁與表面散射損耗等技術(shù)難題，在國(guó)際上首次將氮化鎵材料運(yùn)用于量子光源芯片。目前，量子光源芯片多使用氮化硅等材料進(jìn)行研制，與之相比，氮化鎵量子光源芯片在輸出波長(zhǎng)范圍等關(guān)鍵指標(biāo)上取得突破，輸出波長(zhǎng)范圍從25.6納米增加到100納米，并可朝著單片集成發(fā)展。

此項(xiàng)研究工作得到國(guó)家科技創(chuàng)新2030重大項(xiàng)目、國(guó)家自然科學(xué)基金、四川省科技計(jì)劃等大力支持。近日，以“Quantum Light Generation Based on GaN Microring toward Fully On-Chip Source”為題，發(fā)表在國(guó)際著名學(xué)術(shù)期刊《物理評(píng)論快報(bào)》上，并被選為“物理亮點(diǎn)”進(jìn)行重點(diǎn)宣傳報(bào)道。

據(jù)了解，天府絳溪實(shí)驗(yàn)室量子互聯(lián)網(wǎng)前沿研究中心聚力攻關(guān)量子互聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)。當(dāng)前，中心正在加快布局城域量子互聯(lián)網(wǎng)、量子人工智能、量子信息器件等產(chǎn)業(yè)方向，大力推動(dòng)量子賦能新質(zhì)生產(chǎn)力在政務(wù)、金融、醫(yī)療、健康等領(lǐng)域的應(yīng)用落地，堅(jiān)定厚植量子科技的前沿研究和創(chuàng)新應(yīng)用。

【重點(diǎn)技術(shù)】三星推出專為人工智能應(yīng)用優(yōu)化的10.7Gbps LPDDR5X DRAM

4月17日，三星電子宣布已成功開發(fā)出業(yè)界領(lǐng)先的10.7Gbps LPDDR5X DRAM內(nèi)存，該產(chǎn)品專為滿足日益增長(zhǎng)的人工智能應(yīng)用需求而設(shè)計(jì)。這款采用12納米級(jí)工藝技術(shù)的LPDDR5X DRAM，不僅在性能上比上一代產(chǎn)品提高了超過(guò)25%，而且在容量上也有了30%以上的提升，同時(shí)在能效比上實(shí)現(xiàn)了25%的提升。

據(jù)悉，這款新一代LPDDR5X DRAM內(nèi)存的單封裝容量被擴(kuò)展至32GB，這一突破性的進(jìn)展將極大地滿足端側(cè)AI應(yīng)用對(duì)高性能和大容量?jī)?nèi)存的需求。設(shè)計(jì)亮點(diǎn)在于其能夠根據(jù)工作負(fù)載頻率調(diào)整和優(yōu)化供電模式，擴(kuò)展低功耗模式頻段，從而在提高性能的同時(shí)，有效降低能耗。這一特性使得新產(chǎn)品在移動(dòng)設(shè)備電池壽命的提升和服務(wù)器總體擁有成本的降低方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。

三星電子內(nèi)存業(yè)務(wù)部門表示，新產(chǎn)品的推出標(biāo)志著公司在低功耗、高性能內(nèi)存領(lǐng)域的領(lǐng)先地位得到了進(jìn)一步鞏固。計(jì)劃在完成移動(dòng)處理器廠商和終端設(shè)備廠商的驗(yàn)證后，于今年下半年啟動(dòng)10.7Gbps LPDDR5X DRAM的量產(chǎn)。

【重點(diǎn)事件】國(guó)內(nèi)首臺(tái)大芯片先進(jìn)封裝專用光刻機(jī)交付入廠

4月16日，據(jù)廣州產(chǎn)投、越海集成官微消息，由廣東微技術(shù)工業(yè)研究院組織的“曝光時(shí)刻——3D異構(gòu)芯片封裝技術(shù)研討會(huì)”暨國(guó)內(nèi)首臺(tái)大芯片先進(jìn)封裝專用光刻機(jī)交付入廠儀式在廣州市增城區(qū)廣東越海集成技術(shù)有限公司舉行。

據(jù)悉，本次交付入廠的國(guó)內(nèi)首臺(tái)大芯片先進(jìn)封裝專用光刻機(jī)由星空科技自主研制，可以為Chiplet和2.5D/3D大芯片的集成制造提供光刻加工工藝，為助力國(guó)產(chǎn)人工智能大芯片集各種功能芯片之大成提供了有力的技術(shù)支撐。

而該臺(tái)光刻機(jī)的接收方越海集成，是一家由興橙資本、傳感器集團(tuán)聯(lián)合中國(guó)本土經(jīng)驗(yàn)最豐富的TSV晶圓級(jí)先進(jìn)封裝團(tuán)隊(duì)主要發(fā)起設(shè)立控股，并由廣東省、廣州市、增城區(qū)三級(jí)國(guó)資參股的先進(jìn)封裝企業(yè)，總部位于廣州市增城經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)核心區(qū)，項(xiàng)目計(jì)劃總投資約為人民幣66億元。