華為芯片斷供首日，中芯國際申請繼續(xù)供貨！第三代半導體成國產(chǎn)替代希望？[圖]

    9月15日，美國下發(fā)的對華為芯片管制升級令正式生效，這意味著此后全球所有公司在向華為供應采用美國技術(shù)的產(chǎn)品前，都必須先向美方申請許可證。臺積電已停止為華為代工生產(chǎn)麒麟芯片，高通、三星及SK海力士、美光等都將不再供應芯片給華為。

    9月15日下午，中芯國際相關人士向媒體表示：“公司已依照規(guī)定向美方申請繼續(xù)供貨華為，并重申將嚴格遵守相關國家和地區(qū)的法律法規(guī)。”據(jù)悉，臺積電、美光、三星等華為供應鏈多家廠商此前也已向美方提交了繼續(xù)供貨申請。不過，目前美方還未向任何公司發(fā)放相關許可證。

    證券時報·e公司記者最新從華為產(chǎn)業(yè)鏈獲得的消息顯示，華為目前沒有B計劃，后續(xù)華為可能從高端手機“降維”至汽車、OLED屏驅(qū)動等，配之以軟件、手機周邊產(chǎn)品補洞，而經(jīng)銷商向記者傳遞的情況則為：“現(xiàn)在華為手機拿貨很難，除非同步搭配手表、手環(huán)、眼鏡、平板、音響、耳機等產(chǎn)品，而若從外圍拿貨，價格又高出幾百至幾千不等。”

    不過，封鎖前日，9月14日下午，華為消費者業(yè)務CEO余承東依然積極發(fā)聲：Mate40會如期而至。

    從華為的困境看出了半導體已成為中國的“卡脖子”工程。事實上，近兩年整個中國半導體產(chǎn)業(yè)都面臨著美國各個層面的封鎖，半導體設備和芯片層面的供應面臨風險，在當前逆全球化和技術(shù)封鎖的背景下，中國半導體產(chǎn)業(yè)的國產(chǎn)替代成為了舉國矚目的焦點。

    9月初，第三代半導體概念被頻頻提起，并受到市場資金的追捧。近日，有媒體報道稱，權(quán)威消息人士透露，我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè)，寫入正在制定中的“十四五”規(guī)劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應用等等各個方面，大力支持發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè)，以期實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨立自主。

    據(jù)不完全統(tǒng)計，A股上市公司中，已有36家公司參與到第三代半導體領域。

    9月15日，露笑科技發(fā)布公告稱，公司與雙鳳經(jīng)開區(qū)在合肥市政府簽署了《長豐縣招商引資項目投資合作協(xié)議》；將與合肥市長豐縣人民政府在合肥市長豐縣共同投資建設第三代功率半導體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園，主要建設國際領先的第三代功率半導體（碳化硅）的設備制造、長晶生產(chǎn)、襯底加工、外延制作等產(chǎn)業(yè)鏈的研發(fā)和生產(chǎn)基地。該項目一期建成達產(chǎn)后，可形成年產(chǎn)24萬片導電型碳化硅襯底片和5萬片外延片的生產(chǎn)能力；項目總投資100億元，其中一期投資21億元，一期固定資產(chǎn)投資16億元（一期首次投資3.6億元，其中固定資產(chǎn)投資3億元）。

    同日，北方華創(chuàng)在互動平臺表示，公司可以提供第三代半導體相關設備，其中碳化硅方面，可以提供長晶爐、外延爐、刻蝕、高溫退火、氧化、PVD、清洗機等設備，氮化鎵方面可以提供刻蝕、PECVD、清洗機等設備。目前公司生產(chǎn)經(jīng)營保持正常。

    9月15日，第三代半導體相關概念股表現(xiàn)整體不佳，不少個股出現(xiàn)大跌，其中聚燦光電在股價連續(xù)九日上漲之后迎來首陰，股價大跌12.27%。乾照光電股價距離9月9日的最高價14.55元/股，已向下調(diào)整了近四成。

    若將時間線拉長，本月初至今，第三代半導體相關概念股股價整體呈上漲趨勢，其中長方集團、豫金剛石、聚燦光電均漲超一倍。

    恒盈資產(chǎn)管理有限公司研究員告訴證券時報記者，以后硅基材料都會用氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC），第三代半導體是未來發(fā)展的大方向，不過近期行業(yè)中一些個股股價已在高位，短期調(diào)整在所難免，投資者需謹慎。

    方正證券研報表示，第三代半導體國內(nèi)外差距沒有一、二代半導體明顯。先發(fā)優(yōu)勢是半導體行業(yè)的特點，Cree高市占率也印證了先發(fā)優(yōu)勢的重要性。相較于Si，國產(chǎn)廠商對SiC研究起步時間不國外廠商相差不多，因此國產(chǎn)廠商有希望追上國外廠商，完成國產(chǎn)替代。

    什么是第三代半導體？

    國信證券研報中指出半導體第三代是指半導體材料的變化，從第一代、第二代過渡到第三代。

    第一代半導體材料是以硅（Si）和鍺（Ge）為代表，目前大部分半導體是基于硅基的。
    第二代半導體材料是以砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）為代表，是4G時代的大部分通信設備的材料。

    第三代半導體材料以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石為四大代表，是5G時代的主要材料。第三代半導體的性能優(yōu)勢體現(xiàn)在：耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻射、導電性能強、工作速度快、工作損耗低。

    根據(jù)Omdia的《 2020年SiC和GaN功率半導體報告》，到2020年底，全球SiC和GaN功率半導體的銷售收入預計8.54億美元。未來十年的年均兩位數(shù)增長率，到2029年將超過50億美元。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，到2024年SiC功率半導體市場規(guī)模將增長至20億美元，其中，汽車市場占SiC功率半導體市場比重到2024年預計將達50%。

    金沙江資本創(chuàng)始人及董事局主席伍伸俊在日前舉行的“中國第三代半導體發(fā)展機遇交流峰會”中表示，第三代不管是彎道超車還是直道超車還是加速超車，在新跑道里中國還是有優(yōu)勢的，有幾方面，最重要的是人才優(yōu)勢，不管在美國、歐洲還是東南亞，中國從事半導體行業(yè)的華人優(yōu)勢、工程師優(yōu)勢、創(chuàng)新優(yōu)勢是很明顯的。

    國信證券研報中也表示第三代半導體是中國大陸半導體的希望，并解釋了原因：

    第一，第三代半導體相比較第一代第二代半導體處于發(fā)展初期，國內(nèi)和國際巨頭基本處于同一起跑線。

    第二，中國有第三代半導體的應用市場，我們可以根據(jù)市場定義產(chǎn)品，而不是像以前跟著國際巨頭做國產(chǎn)化替代。

    第三，第三代半導體難點不在設備、不在邏輯電路設計，而在于工藝，工藝開發(fā)具有偶然性，相比較邏輯芯片難度降低。

    第四，對設備要求相對較低，投資額小，國內(nèi)可以有很多玩家。在資本的推動下，可以全國遍地開花，最終走出來幾家第三代半導體公司的概率很大。